關(guān)(guān)于穿通擊穿，有以下一些特征：

（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)(diǎn)軟，擊穿過(guò)(guò)程中，電流有逐漸增大的特征，這是因?yàn)楹謀M層擴(kuò)(kuò)展較寬，發(fā)(fā)生電流較大。另一方面，耗盡層展廣大容易發(fā)(fā)生DIBL效應(yīng)(yīng)，使源襯底結(jié)(jié)正偏呈現(xiàn)(xiàn)電流逐漸增大的特征。

（2）穿通擊穿的軟擊穿點(diǎn)(diǎn)發(fā)(fā)生在源漏的耗盡層相接時(shí)(shí)，此刻源端的載流子注入到耗盡層中， 被耗盡層中的電場(chǎng)(chǎng)加快到達(dá)(dá)漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點(diǎn)(diǎn)，這個(gè)(gè)電流的急劇增大和雪崩擊穿時(shí)(shí)電流急劇增大不同，這時(shí)(shí)的電流相當(dāng)(dāng)于源襯底PN結(jié)(jié)正向?qū)〞r(shí)(shí)的電流，而雪崩擊穿時(shí)(shí)的電流主要為PN結(jié)(jié)反向擊穿時(shí)(shí)的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。

（3）穿通擊穿一般不會(huì)(huì)呈現(xiàn)(xiàn)破壞性擊穿。因?yàn)櫬┩〒舸﹫?chǎng)強(qiáng)(qiáng)沒(méi)(méi)有到達(dá)(dá)雪崩擊穿的場(chǎng)(chǎng)強(qiáng)(qiáng)，不會(huì)(huì)發(fā)(fā)生許多電子空穴對(duì)(duì)。

（4）穿通擊穿一般發(fā)(fā)生在溝道體內(nèi)(nèi)，溝道外表不容易發(fā)(fā)生穿通，這主要是因?yàn)闇系雷⑷朧雇獗頋舛缺葷舛卻髽?gòu)成，所以，對(duì)(duì)NMOS管一般都有防穿通注入。

（5）一般的，鳥(niǎo)嘴邊際的濃度比溝道中心濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)(fā)生在溝道中心。

（6）多晶柵長(zhǎng)(zhǎng)度對(duì)(duì)穿通擊穿是有影響的，跟著柵長(zhǎng)(zhǎng)度添加，擊穿增大。而對(duì)(duì)雪崩擊穿，嚴(yán)(yán)格來(lái)(lái)說(shuō)(shuō)也有影響，可是沒(méi)(méi)有那么明顯。

MOS管被擊穿的原因及解決方案如下：

第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又十分小，所以極易受外界電磁場(chǎng)(chǎng)或靜電的感應(yīng)(yīng)而帶電，而少數(shù)(shù)電荷就可在極間電容上構(gòu)(gòu)成相當(dāng)(dāng)高的電壓(U=Q/C)，將管子損壞。盡管MOS輸入端有抗靜電的維護(hù)(hù)措施，但仍需當(dāng)(dāng)心對(duì)(duì)待，在存儲(chǔ)(chǔ)和運(yùn)(yùn)送中最好用金屬容器或許導(dǎo)(dǎo)電資料包裝，不要放在易發(fā)(fā)生靜電高壓的化工資料或化纖織物中。拼裝、調(diào)(diào)試時(shí)(shí)，東西、外表、工作臺(tái)(tái)等均應(yīng)(yīng)杰出接地。要避免操作人員的靜電攪擾構(gòu)(gòu)成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或東西在觸摸集成塊前最好先接一下地。對(duì)(duì)器材引線矯直曲折或人工焊接時(shí)(shí)，運(yùn)(yùn)用的設(shè)(shè)備有必要杰出接地。

第二、MOS電路輸入端的維護(hù)(hù)二極管，其導(dǎo)(dǎo)通時(shí)(shí)電流容限一般為1mA 在可能呈現(xiàn)(xiàn)過(guò)(guò)大瞬態(tài)(tài)輸入電流(超越10mA)時(shí)(shí)，應(yīng)(yīng)串接輸入維護(hù)(hù)電阻。而129#在初期設(shè)(shè)計(jì)(jì)時(shí)(shí)沒(méi)(méi)有參加維護(hù)(hù)電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而經(jīng)(jīng)過(guò)(guò)替換一個(gè)(gè)內(nèi)(nèi)部有維護(hù)(hù)電阻的MOS管應(yīng)(yīng)可避免此種失效的發(fā)(fā)生。還有因?yàn)榫S護(hù)(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號(hào)(hào)和過(guò)(guò)高的靜電電壓將使維護(hù)(hù)電路失去效果。所以焊接時(shí)(shí)電烙鐵有必要可靠接地，以防漏電擊穿器材輸入端，一般運(yùn)(yùn)用時(shí)(shí)，可斷電后使用電烙鐵的余熱進(jìn)(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。

MOS是電壓驅(qū)(qū)動(dòng)(dòng)元件，對(duì)(duì)電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部攪擾使MOS導(dǎo)(dǎo)通，外部攪擾信號(hào)(hào)對(duì)(duì)G-S結(jié)(jié)電容充電，這個(gè)(gè)細(xì)(xì)小的電荷能夠貯存很長(zhǎng)(zhǎng)時(shí)(shí)刻。在實(shí)(shí)驗(yàn)(yàn)中G懸空很風(fēng)(fēng)險(xiǎn)(xiǎn)，許多就因?yàn)檫@樣爆管，G接個(gè)(gè)下拉電阻對(duì)(duì)地，旁路攪擾信號(hào)(hào)就不會(huì)(huì)直通了，一般能夠10~20K。

這個(gè)(gè)電阻稱為柵極電阻。效果1：為場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管供給偏置電壓;效果2：起到瀉放電阻的效果(維護(hù)(hù)柵極G~源極S)。榜首個(gè)(gè)效果好了解，這兒解釋一下第二個(gè)(gè)效果的原理：維護(hù)(hù)柵極G~源極S：場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少數(shù)(shù)的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩頭發(fā)(fā)生很高的電壓，如果不及時(shí)(shí)把這些少數(shù)(shù)的靜電瀉放掉，他兩頭的高壓就有可能使場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管發(fā)(fā)生誤動(dòng)(dòng)作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，然后起到了維護(hù)(hù)場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的效果。