mos管電壓

常遇到MOS管Vgs電壓過(guò)(guò)大會(huì)(huì)損壞管子，但是從原理上看，似乎不然呀？

當(dāng)(dāng)vGS數(shù)(shù)值較小，吸收電子的才能不強(qiáng)(qiáng)時(shí)(shí)，漏——源極之間仍無(wú)(wú)導(dǎo)(dǎo)電溝道呈現(xiàn)(xiàn)，vGS增加時(shí)(shí)，吸收到P襯底外表層的電子就增加，當(dāng)(dāng)vGS到達(dá)(dá)某一數(shù)(shù)值 時(shí)(shí)，這些電子在柵極左近的P襯底外表便構(gòu)(gòu)成一個(gè)(gè)N型薄層，且與兩個(gè)(gè)N+區(qū)(qū)相連通，在漏——源極間構(gòu)(gòu)成N型導(dǎo)(dǎo)電溝道，其導(dǎo)(dǎo)電類(lèi)(lèi)型與P襯底相反，構(gòu)(gòu)成反型層。

vGS越大，作用于半導(dǎo)(dǎo)體外表的電場(chǎng)(chǎng)就越強(qiáng)(qiáng)，吸收到P襯底外表的電子就越多，導(dǎo)(dǎo)電溝道越厚，溝道電阻越小。

即N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)(shí)，不能構(gòu)(gòu)成導(dǎo)(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)(tài)。

只要當(dāng)(dāng)vGS≥VT時(shí)(shí)，才有溝道構(gòu)(gòu)成。溝道構(gòu)(gòu)成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)(chǎn)生。

但是Vgs繼續(xù)(xù)加大，比方IRFPS40N60K

Vgs=100V時(shí)(shí)

Vds=0和Vds=400V，兩種狀況下，對(duì)(duì)管子功用帶來(lái)(lái)什么影響，若燒壞，緣由和內(nèi)(nèi)部機(jī)(jī)理過(guò)(guò)程是怎樣的呢？

Vgs增大會(huì)(huì)減小Rds（on）減小開(kāi)(kāi)關(guān)(guān)損耗，但是同時(shí)(shí)會(huì)(huì)增大Qg，使得開(kāi)(kāi)啟損耗變大，影響效率

1）MOSFET 的GS 電壓經(jīng)(jīng)Vgg 對(duì)(duì)Cgs 充電而上升，抵達(dá)(dá)維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)(kāi)端導(dǎo)(dǎo)電；

2）MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區(qū)(qū)間內(nèi)(nèi)因DS 電容的放電而放電，對(duì)(duì)GS 電容的充電影響不大；

Qg=Cgs*Vgs, 但是電荷會(huì)(huì)持續(xù)(xù)積聚。

3）MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓，Millier 電容大大增加，外部驅(qū)(qū)動(dòng)(dòng)電壓對(duì)(duì)Millier 電容停止充電，GS 電容的電壓不變，Millier 電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續(xù)(xù)減??；

4）MOSFET 的DS 電壓降至飽和導(dǎo)(dǎo)通時(shí)(shí)的電壓，Millier 電容變小并和GS 電容一同由外部驅(qū)(qū)動(dòng)(dòng)電壓充電，GS 電容的電壓上升；

電壓測(cè)(cè)量

N溝道的有國(guó)(guó)產(chǎn)(chǎn)的3D01，4D01，日產(chǎn)(chǎn)的3SK系列。G極（柵極）的確定：利用萬(wàn)(wàn)用表的二極管檔。若某腳與其他兩腳間的正反壓降均大于2V，即顯示“1”，此腳即為柵極G。再交換表筆測(cè)(cè)量其余兩腳，壓降小的那次中，黑表筆接的是D極（漏極），紅表筆接的是S極（源極）。