MOS構(gòu)(gòu)造優(yōu)(yōu)點(diǎn)(diǎn)是什么，特點(diǎn)(diǎn)有什么優(yōu)(yōu)勢(shì)？工作原理是什么？

信息來源：本站　日期：2017-07-25　

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場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管TMOS,VMOS

MOSFET構(gòu)(gòu)造，從縱剖面來看，柵極（柵區(qū)(qū)）、源極（源區(qū)(qū)）、漏極（漏區(qū)(qū)）大致排列在同不斷線上，這樣的構(gòu)(gòu)造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構(gòu)(gòu)造。同時(shí)(shí)，柵極，精確一點(diǎn)(diǎn)說是“柵區(qū)(qū)”與漏區(qū)(qū)、源區(qū)(qū)的分界面大致也是平面狀的，這種柵極構(gòu)(gòu)造稱為平面柵極(Planar Gate)構(gòu)(gòu)造。

上述構(gòu)(gòu)造的優(yōu)(yōu)點(diǎn)(diǎn)是結(jié)(jié)電容小，比擬合適于高頻小功率應(yīng)(yīng)用，缺乏之處是源極與漏極相距比擬遠(yuǎn)(yuǎn)，導(dǎo)(dǎo)電溝道的寬度有限，不太合適于功率應(yīng)(yīng)用。“凹槽。形的“槽柵”(Trench Gate)構(gòu)(gòu)造可以增加?xùn)艆^(qū)(qū)與源區(qū)(qū)和漏區(qū)(qū)的接觸面積，增加對(duì)電流的控制才能。垂直溝道構(gòu)(gòu)造是將源極與漏極配置在柵極的-側(cè)(cè)，漏極與源極則是相向排列，這樣的溝道構(gòu)(gòu)造縮短了溝道長(zhǎng)度，合適于大電流應(yīng)(yīng)用。

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管大都采用“垂直”溝道和“槽柵”構(gòu)(gòu)造，合起來簡(jiǎn)稱“溝槽柵”結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)。電子顯微鏡下的照片以顯現(xiàn)(xiàn)兩種溝道和柵極構(gòu)(gòu)造的主要區(qū)(qū)別（圖1.14）。

TMOS (TrenchMOS)的稱號(hào)固然指的是槽柵構(gòu)(gòu)造的MOSFET，但由于槽柵與垂直溝道常常是同時(shí)(shí)應(yīng)(yīng)用的，因而它也同時(shí)(shí)指垂直溝道構(gòu)(gòu)造，即“溝槽柵。構(gòu)(gòu)造的功率MOSFET。

最先應(yīng)(yīng)用的槽柵構(gòu)(gòu)造的剖面外形與英文字母“v”很類似（圖1. 15），VMOS的最初稱號(hào)就是由此而來，它是“V-groove Vertical Metal Oxide Semiconduc-tor”的縮寫，曾經(jīng)(jīng)簡(jiǎn)稱為“VVMOS”，至今依然可以在一些公開的材料中見到。這種依據(jù)(jù)柵極（柵區(qū)(qū)）的剖面外形停止的技術(shù)(shù)命名辦法也被沿用了下來，以后陸續(xù)(xù)呈現(xiàn)(xiàn)了UMOS、πMOS等

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