大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管型號(hào)

場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管簡(jiǎn)介

在了解大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管型號(hào)之前，我們來(lái)了解一下場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管知識(shí)，它主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)(shù)載流子參與導(dǎo)(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)(xiàn)象、安全工作區(qū)(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)(diǎn)，現(xiàn)(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)(dǎo)體器件，并以此命名。

由于它僅靠半導(dǎo)(dǎo)體中的多數(shù)(shù)載流子導(dǎo)(dǎo)電，又稱單極型晶體管。

大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的作用

1.場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管可應(yīng)(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2.場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

3.場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管可以用作可變電阻。

4.場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5.場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管可以用作電子開關(guān)(guān)。

大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管應(yīng)(yīng)用

1、交流/直流電源的同步整流

2、直流電機(jī)(jī)驅(qū)(qū)動(dòng)

3、逆變器

4、電池充電器和電池保護(hù)(hù)電路

5、36V-96V系統(tǒng)(tǒng)中的馬達(dá)(dá)控制

6、隔離的直流-直流轉(zhuǎn)(zhuǎn)換器

7、不間斷電源

大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管型號(hào)

以下為KIA半導(dǎo)(dǎo)體大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管型號(hào)（部分），需咨詢更多型號(hào)請(qǐng)聯(lián)(lián)系我們,我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)(wù)！

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大電流場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管擴(kuò)(kuò)展知識(shí)

由于功率MOSFET熱穩(wěn)(wěn)定性好，故比雙極型晶體管并聯(lián)(lián)連接簡(jiǎn)單?？墑遣⒙?lián)連接MOSFET用于高速開關(guān)(guān)則末必簡(jiǎn)單，從現(xiàn)(xiàn)象看并聯(lián)(lián)連接會(huì)發(fā)(fā)生以下兩個(gè)問(wèn)題：

1） 電流會(huì)集中某一個(gè)器件中。

2 ） 寄生振蕩。

并聯(lián)(lián)連接方面的問(wèn)題

參數(shù)(shù)

Lo：柵、導(dǎo)(dǎo)線電感

LD：漏、導(dǎo)(dǎo)線電感

LS：源、導(dǎo)(dǎo)線電感

Cmi：密勒電容

CGS：柵、源間電源

ra：柵、電阻（多晶硅）

（1）電流會(huì)集到某一個(gè)器件中

這是由于并聯(lián)(lián)連接的器件中的某一個(gè)器件早于或遲于其它器件導(dǎo)(dǎo)通或斷開而引起的。導(dǎo)(dǎo)通、斷開的時(shí)刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導(dǎo)(dǎo)納等參數(shù)(shù)的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并聯(lián)(lián)銜接時(shí)發(fā)(fā)生電流不平衡的一個(gè)比如。

驅(qū)(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗大的時(shí)候，電流不平衡的發(fā)(fā)生時(shí)刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外，并聯(lián)(lián)連接的全部器件導(dǎo)(dǎo)通之后，流到各器件的電流與Rds（on）成反比 。

( 2 ） 寄生振蕩

如把功率MOSFET的柵極直接并聯(lián)(lián)銜接，就常常發(fā)(fā)生寄生振蕩。如圖2所示，經(jīng)(jīng)過(guò)各個(gè)器件的漏、柵間電容（ 密勒電容 ）和柵極引線電感構(gòu)(gòu)成諧振電路 。關(guān)(guān)于這個(gè)諧振電路的Q，也即電抗器 （ L 、C ） 對(duì)電阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，簡(jiǎn)單發(fā)(fā)生寄生振蕩。

從以下兩個(gè)方面采取辦法 ：

1)器材的挑選

2)裝置上的考慮

并聯(lián)(lián)連接及辦法

( 1） 把功率MOSFET用作開關(guān)(guān)器件時(shí)，無(wú)須過(guò)于慎重考慮，由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍，只需極力縮小驅(qū)(qū)動(dòng)級(jí)的輸出阻抗就行．把功率MOSFET用在線性電路時(shí)，只挑選同一批產(chǎn)(chǎn)品是不行的 ，與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的．

( 2 ）裝置辦法

選用低電感布線是當(dāng)(dāng)然的，但在并聯(lián)(lián)連接中僅用銅板是不行的 ，由于因公共阻擾發(fā)(fā)生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡，為了防止這點(diǎn)(diǎn)，并聯(lián)(lián)連接的各個(gè)器件應(yīng)(yīng)是徹底持平的布線，應(yīng)(yīng)如圖3那樣用對(duì)稱的布線 ，但因裝置上的約束，不行能用對(duì)稱布錢時(shí)，這時(shí)同軸的（多股絞合線、帶狀線 ） 布線也是很有用的。如圖4那樣，經(jīng)(jīng)過(guò)薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線。

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