工業(yè)開關(guān)電源MOS管
中國工業(yè)用開關(guān)電源分析

中國工業(yè)用開關(guān)電源市場(chǎng)發(fā)展分析根據(jù)北京捷孚聯(lián)合咨詢有限公司（JFUnited）最新調(diào)查報(bào)告《2007中國工業(yè)用開關(guān)電源市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2006年中國工業(yè)用開關(guān)電源市場(chǎng)規(guī)模在6.7億元；從產(chǎn)品安裝方式分類來看，2006年工業(yè)領(lǐng)域平板式開關(guān)電源和導(dǎo)軌式開關(guān)電源產(chǎn)品分別占市場(chǎng)總規(guī)模的66%和34%；從應(yīng)用領(lǐng)域分類來看，機(jī)械、電力和鐵路三大領(lǐng)域占工業(yè)領(lǐng)域開關(guān)電源市場(chǎng)的90%，其中機(jī)械和電力兩大領(lǐng)域就占市場(chǎng)總體規(guī)模的80%。 根據(jù)JFUnited調(diào)查報(bào)告資料顯示，在2001-2006年間，占國內(nèi)工業(yè)開關(guān)電源主要份額的廠商，比如朝陽、銘緯、衡孚等主要廠商的增長率平均在15%-30%之間，但從整個(gè)行業(yè)來看，工業(yè)開關(guān)電源并沒有達(dá)到預(yù)期的增長率，而工業(yè)開關(guān)電源的市場(chǎng)增長率要遠(yuǎn)低于在通信及家電、計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，2001-2006年工業(yè)電源增長率僅保持在10%-15%的增長區(qū)間。另外，JFUnited調(diào)查報(bào)告指出，國內(nèi)工業(yè)開關(guān)電源在2005-2006年市場(chǎng)整體增長速度均略超過30%，并對(duì)2007年工業(yè)開關(guān)電源市場(chǎng)的發(fā)展持樂觀態(tài)度。隨著導(dǎo)軌式開關(guān)電源及模塊開關(guān)電源的快速發(fā)展，以及新技術(shù)的出現(xiàn)，國內(nèi)的開關(guān)電源市場(chǎng)格局將會(huì)有所變化，而國內(nèi)外重要開關(guān)電源廠商將預(yù)期增長率鎖定在20%上下，JFUnited認(rèn)為工業(yè)用平板式開關(guān)電源未來發(fā)展速度將保持在20%左右，中國工業(yè)開關(guān)電源的增長速度及發(fā)展水平遠(yuǎn)低于日本、美國、歐洲等地。 目前國外公司如ABB、歐姆龍、西門子、菲尼克斯等主要以生產(chǎn)銷售導(dǎo)軌式產(chǎn)品為主，而國內(nèi)代表性公司如朝陽、銘緯（臺(tái)資）、衡孚、德創(chuàng)、三基等主要以生產(chǎn)平板式開關(guān)電源為主。另外，國外公司中除電盛蘭達(dá)等少數(shù)開關(guān)電源企業(yè)在大陸有設(shè)立工廠以外，大部分以進(jìn)口形式在大陸銷售，在營銷模式上，工業(yè)開關(guān)電源企業(yè)呈現(xiàn)出代理和直銷兩種并存的模式。 調(diào)查報(bào)告資料顯示，工業(yè)用開關(guān)電源主力企業(yè)市場(chǎng)規(guī)模表現(xiàn)中，前四名只有朝陽一家國內(nèi)企業(yè)，而其它三家均為外資（含臺(tái)資）企業(yè)，并且朝陽比其它三個(gè)企業(yè)的優(yōu)勢(shì)并不明顯，而國內(nèi)其它企業(yè)大多保持在中等水平。行業(yè)銷售規(guī)模前四位朝陽、電盛蘭達(dá)、銘緯、歐姆龍四家企業(yè)市場(chǎng)份額目前占到整個(gè)工業(yè)用開關(guān)電源市場(chǎng)份額的48%，這說明工業(yè)用開關(guān)電源行業(yè)市場(chǎng)集中度已經(jīng)比較高，市場(chǎng)發(fā)展正超著成熟水平發(fā)展。

前十名企業(yè)中，國內(nèi)企業(yè)的總量與外資企業(yè)的總量比為1：1.5。從中可以看出，目前在國內(nèi)工業(yè)開關(guān)電源市場(chǎng)國內(nèi)企業(yè)很大程度上落后于外資企業(yè)。 在各廠商工業(yè)開關(guān)電源價(jià)格表現(xiàn)上，JFUnited報(bào)告指出，類似規(guī)格（同一功率和輸出電壓）不同廠商的價(jià)格水平差異很大，差距在幾倍到十幾倍不等；另外，同一公司由于認(rèn)證數(shù)量和類型的差異，同一規(guī)格的產(chǎn)品價(jià)格也會(huì)有很大的差異，或者同一公司由于產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)合的定位不同導(dǎo)致價(jià)格的巨大差異，如朝陽軍品級(jí)開關(guān)電源分別是工業(yè)級(jí)和商業(yè)級(jí)開關(guān)電源1.5-3倍的價(jià)差。 JFUnited在調(diào)查報(bào)告中對(duì)未來國內(nèi)工業(yè)用開關(guān)電源行業(yè)關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)因素分析中指出，國內(nèi)從事工業(yè)開關(guān)電源的企業(yè)，從整體上來講與國外企業(yè)還存在差距，產(chǎn)品的規(guī)模以及產(chǎn)品種類不可能兼顧所有工業(yè)領(lǐng)域，優(yōu)勢(shì)集中在自身擅長的領(lǐng)域，比如無錫宇峰重點(diǎn)在電力行業(yè)，隨著國際企業(yè)從高端市場(chǎng)向中端市場(chǎng)的延伸，加大對(duì)國內(nèi)企業(yè)的沖擊力，使得國內(nèi)企業(yè)保住現(xiàn)有的陣地成為首要任務(wù)，因此，能否進(jìn)一步市場(chǎng)細(xì)分，加大優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域的資源組合，成為國內(nèi)企業(yè)今后發(fā)展的最大挑戰(zhàn)。 隨著電盛蘭達(dá)、歐姆龍等國際工業(yè)電源巨頭實(shí)施中國本地化發(fā)展策略，并不斷兼并和重組國內(nèi)優(yōu)勢(shì)企業(yè)，使工業(yè)開關(guān)電源產(chǎn)品在華推廣及成本戰(zhàn)略凸顯優(yōu)勢(shì)，未來不僅對(duì)于國內(nèi)企業(yè)有相當(dāng)影響，也會(huì)進(jìn)一步強(qiáng)占其它中高端領(lǐng)域外資品牌的市場(chǎng)份額。 從工業(yè)開關(guān)電源細(xì)分市場(chǎng)來看，電力、鐵路、軍工、航空等領(lǐng)域，目前主要由少部分供應(yīng)商壟斷，短期內(nèi)這樣市場(chǎng)特點(diǎn)不會(huì)很大變化，而對(duì)于工控領(lǐng)域來講，涉及產(chǎn)品及環(huán)境比較復(fù)雜，各供應(yīng)商都有不同比例的涉及，未來隨著各家供應(yīng)商的技術(shù)及產(chǎn)品發(fā)展，市場(chǎng)份額可能會(huì)出現(xiàn)較大變化， 行業(yè)發(fā)展水平的好壞對(duì)于行業(yè)企業(yè)發(fā)展的尤為重要，隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域，程控交換機(jī)、通訊、電子檢測(cè)設(shè)備電源、控制設(shè)備電源等都已廣泛地使用了開關(guān)電源，另外開關(guān)電源又表現(xiàn)出替代線形及相控電源趨勢(shì)，未來發(fā)展空間是否將會(huì)達(dá)到或者超過預(yù)期水平，將決定工業(yè)開關(guān)電源各企業(yè)的發(fā)展速度及未來走勢(shì)。 目前國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品品質(zhì)和技術(shù)上還不能和國外企業(yè)想媲美，但由于中國廉價(jià)的勞動(dòng)力和原材料，中國的產(chǎn)品價(jià)格上占有十分大的優(yōu)勢(shì)。這使得國內(nèi)小的民營企業(yè)總體規(guī)模還占有20%的規(guī)模，短期內(nèi)價(jià)格及成本因素仍然為國內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)的最主要因素之一。

國內(nèi)企業(yè)與國外企業(yè)相比輸在工藝，國內(nèi)開關(guān)電源企業(yè)在規(guī)模和產(chǎn)值方面與國外企業(yè)相比水平相當(dāng)。也掌握了一些獨(dú)立的技術(shù)工藝，但主要是在小型器件產(chǎn)品上。但在大型器件芯片技術(shù)上還依靠國外技術(shù)，雖然在珠三角地區(qū)盡管有大批的臺(tái)資和日資企業(yè)建立了生產(chǎn)線，但主要芯片技術(shù)還是外資控制。在未來的競(jìng)爭(zhēng)中，獨(dú)立工藝技術(shù)是開關(guān)電源企業(yè)掌握和擴(kuò)展市場(chǎng)的關(guān)鍵。 JFUnited在調(diào)查報(bào)告中最后指出，國內(nèi)開關(guān)電源企業(yè)在也業(yè)務(wù)開拓能力上與外資企業(yè)存在差距。大多數(shù)外部渠道資源匱乏，只能等待客戶上門，而歐美企業(yè)的需求信息掌握比較全面及時(shí)，渠道網(wǎng)絡(luò)豐富，使市場(chǎng)開拓能力遠(yuǎn)強(qiáng)于國內(nèi)，另外，國內(nèi)企業(yè)與外資企業(yè)相比，普遍存在服務(wù)意識(shí)不強(qiáng)，不注重客源關(guān)系維系的現(xiàn)象。甚至有些小企業(yè)過于追求經(jīng)濟(jì)效益，而忽略了企業(yè)的相關(guān)服務(wù)，例如產(chǎn)品質(zhì)量保證和售后服務(wù)、企業(yè)應(yīng)該承擔(dān)的社會(huì)責(zé)任等。這樣的結(jié)果最終必然是企業(yè)客戶投訴越來越多，最后被市場(chǎng)淘汰。在未來的競(jìng)爭(zhēng)中，市場(chǎng)開拓能力及服務(wù)意識(shí)的提高也是企業(yè)發(fā)展的重要因素。

工業(yè)開關(guān)電源MOS管供應(yīng)商

本文主要是介紹工業(yè)開關(guān)電源MOS管供應(yīng)商及參數(shù)、選型詳解，深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

2005年在深圳福田，KIA半導(dǎo)體開啟了前行之路，注冊(cè)資金1000萬，辦公區(qū)域達(dá)1200平方，已經(jīng)擁有了獨(dú)立的研發(fā)中心，研發(fā)人員以來自韓國(臺(tái)灣)超一流團(tuán)隊(duì)，可以快速根據(jù)客戶應(yīng)用領(lǐng)域的個(gè)性來設(shè)計(jì)方案，同時(shí)引進(jìn)多臺(tái)國外先進(jìn)設(shè)備，業(yè)務(wù)含括功率器件的直流參數(shù)檢測(cè)、雪崩能量檢測(cè)、可靠性實(shí)驗(yàn)、系統(tǒng)分析、失效分析等領(lǐng)域。強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

強(qiáng)大的研發(fā)平臺(tái)，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)35項(xiàng)，并掌握多項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉儲(chǔ)物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

工業(yè)開關(guān)電源MOS管應(yīng)用方案

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開關(guān)電源mos管選型

MOS管最常見的應(yīng)用可能是電源中的開關(guān)元件，此外，它們對(duì)電源輸出也大有裨益。服務(wù)器和通信設(shè)備等應(yīng)用一般都配置有多個(gè)并行電源，以支持N+1 冗余與持續(xù)工作 (圖1)。各并行電源平均分擔(dān)負(fù)載，確保系統(tǒng)即使在一個(gè)電源出現(xiàn)故障的情況下仍然能夠繼續(xù)工作。不過，這種架構(gòu)還需要一種方法把并行電源的輸出連接在一起，并保證某個(gè)電源的故障不會(huì)影響到其它的電源。在每個(gè)電源的輸出端，有一個(gè)功率MOS管可以讓眾電源分擔(dān)負(fù)載，同時(shí)各電源又彼此隔離 。起這種作用的MOS管被稱為"ORing"FET，因?yàn)樗鼈儽举|(zhì)上是以 "OR" 邏輯來連接多個(gè)電源的輸出。

一、開關(guān)電源上的MOS管選擇方法

圖1：用于針對(duì)N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管

在ORing FET應(yīng)用中，MOS管的作用是開關(guān)器件，但是由于服務(wù)器類應(yīng)用中電源不間斷工作，這個(gè)開關(guān)實(shí)際上始終處于導(dǎo)通狀態(tài)。其開關(guān)功能只發(fā)揮在啟動(dòng)和關(guān)斷，以及電源出現(xiàn)故障之時(shí) 。

相比從事以開關(guān)為核心應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，ORing FET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性。以服務(wù)器為例，在正常工作期間，MOS管只相當(dāng)于一個(gè)導(dǎo)體。因此，ORing FET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是最小傳導(dǎo)損耗。

二、低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小

一般而言，MOS管制造商采用RDS(ON) 參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗;對(duì)ORing FET應(yīng)用來說，RDS(ON) 也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON) 與柵極 (或驅(qū)動(dòng)) 電壓 VGS 以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON) 是一個(gè)相對(duì)靜態(tài)參數(shù)。

若設(shè)計(jì)人員試圖開發(fā)尺寸最小、成本最低的電源，低導(dǎo)通阻抗更是加倍的重要。在電源設(shè)計(jì)中，每個(gè)電源常常需要多個(gè)ORing MOS管并行工作，需要多個(gè)器件來把電流傳送給負(fù)載。在許多情況下，設(shè)計(jì)人員必須并聯(lián)MOS管，以有效降低RDS(ON)。

需謹(jǐn)記，在 DC 電路中，并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個(gè)負(fù)載單獨(dú)的阻抗值。比如，兩個(gè)并聯(lián)的2Ω 電阻相當(dāng)于一個(gè)1Ω的電阻 。因此，一般來說，一個(gè)低RDS(ON) 值的MOS管，具備大額定電流，就可以讓設(shè)計(jì)人員把電源中所用MOS管的數(shù)目減至最少。

除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個(gè)MOS管參數(shù)也對(duì)電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊(cè)上的安全工作區(qū)(SOA)曲線，該曲線同時(shí)描述了漏極電流和漏源電壓的關(guān)系。基本上，SOA定義了MOSFET能夠安全工作的電源電壓和電流。在ORing FET應(yīng)用中，首要問題是：在"完全導(dǎo)通狀態(tài)"下FET的電流傳送能力。實(shí)際上無需SOA曲線也可以獲得漏極電流值。

若設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)熱插拔功能，SOA曲線也許更能發(fā)揮作用。在這種情況下，MOS管需要部分導(dǎo)通工作。SOA曲線定義了不同脈沖期間的電流和電壓限值。

注意剛剛提到的額定電流，這也是值得考慮的熱參數(shù)，因?yàn)槭冀K導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外，日漸升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了熱阻抗參數(shù)，其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。細(xì)言之，在實(shí)際測(cè)量中其代表從器件結(jié)(對(duì)于一個(gè)垂直MOS管，即裸片的上表面附近)到封裝外表面的熱阻抗，在數(shù)據(jù)手冊(cè)中有描述。若采用PowerQFN封裝，管殼定義為這個(gè)大漏極片的中心。因此，RθJC 定義了裸片與封裝系統(tǒng)的熱效應(yīng)。RθJA 定義了從裸片表面到周圍環(huán)境的熱阻抗，而且一般通過一個(gè)腳注來標(biāo)明與PCB設(shè)計(jì)的關(guān)系，包括鍍銅的層數(shù)和厚度。

三、開關(guān)電源中的MOS管

現(xiàn)在讓我們考慮開關(guān)電源應(yīng)用，以及這種應(yīng)用如何需要從一個(gè)不同的角度來審視數(shù)據(jù)手冊(cè)。從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個(gè)MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能(圖2)，這些開關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，然后把能量釋放給負(fù)載。目前，設(shè)計(jì)人員常常選擇數(shù)百kHz乃至1 MHz以上的頻率，因?yàn)轭l率越高，磁性元件可以更小更輕。

四、開關(guān)電源上的MOS管選擇方法

圖2：用于開關(guān)電源應(yīng)用的MOS管對(duì)。(DC-DC控制器)

顯然，電源設(shè)計(jì)相當(dāng)復(fù)雜，而且也沒有一個(gè)簡單的公式可用于MOS管的評(píng)估。但我們不妨考慮一些關(guān)鍵的參數(shù)，以及這些參數(shù)為什么至關(guān)重要。傳統(tǒng)上，許多電源設(shè)計(jì)人員都采用一個(gè)綜合品質(zhì)因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))來評(píng)估MOS管或?qū)χM(jìn)行等級(jí)劃分。

柵極電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要，是因?yàn)槎叨紝?duì)電源的效率有直接的影響。對(duì)效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

柵極電荷是產(chǎn)生開關(guān)損耗的主要原因。柵極電荷單位為納庫侖(nc)，是MOS管柵極充電放電所需的能量。柵極電荷和導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造工藝中相互關(guān)聯(lián)，一般來說，器件的柵極電荷值較低，其導(dǎo)通阻抗參數(shù)就稍高。開關(guān)電源中第二重要的MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。

某些特殊的拓?fù)湟矔?huì)改變不同MOS管參數(shù)的相關(guān)品質(zhì)，例如，可以把傳統(tǒng)的同步降壓轉(zhuǎn)換器與諧振轉(zhuǎn)換器做比較。諧振轉(zhuǎn)換器只在VDS (漏源電壓)或ID (漏極電流)過零時(shí)才進(jìn)行MOS管開關(guān)，從而可把開關(guān)損耗降至最低。這些技術(shù)被成為軟開關(guān)或零電壓開關(guān)(ZVS)或零電流開關(guān)(ZCS)技術(shù)。由于開關(guān)損耗被最小化，RDS(ON) 在這類拓?fù)渲酗@得更加重要。

低輸出電容(COSS)值對(duì)這兩類轉(zhuǎn)換器都大有好處。諧振轉(zhuǎn)換器中的諧振電路主要由變壓器的漏電感與COSS決定。此外，在兩個(gè)MOS管關(guān)斷的死區(qū)時(shí)間內(nèi)，諧振電路必須讓COSS完全放電。

低輸出電容也有利于傳統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器(有時(shí)又稱為硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器)，不過原因不同。因?yàn)槊總€(gè)硬開關(guān)周期存儲(chǔ)在輸出電容中的能量會(huì)丟失，反之在諧振轉(zhuǎn)換器中能量反復(fù)循環(huán)。因此，低輸出電容對(duì)于同步降壓調(diào)節(jié)器的低邊開關(guān)尤其重要。

五、mos管初選基本步驟

1 、電壓應(yīng)力在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓VDS的選擇。在此上的基本原則為MOSFET實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的 90% 。

即：

VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS

注：一般地， V(BR)DSS 具有正溫度系數(shù)。故應(yīng)取設(shè)備最低工作溫度條件下之 V(BR)DSS 值作為參考。

2 、漏極電流其次考慮漏極電流的選擇。基本原則為MOSFET實(shí)際工作環(huán)境中的最大周期漏極電流不大于規(guī)格書中標(biāo)稱最大漏源電流的90%；漏極脈沖電流峰值不大于規(guī)格書中標(biāo)稱漏極脈沖電流峰值的 90% 。

即：

ID_max ≤ 90% * ID

ID_pulse ≤ 90% * IDP

注：一般地，ID_max及ID_pulse具有負(fù)溫度系數(shù)，故應(yīng)取器件在最大結(jié)溫條件下之ID_max及ID_pulse值作為參考。器件此參數(shù)的選擇是極為不確定的—主要是受工作環(huán)境，散熱技術(shù)，器件其它參數(shù)（如導(dǎo)通電阻，熱阻等）等相互制約影響所致。最終的判定依據(jù)是結(jié)點(diǎn)溫度（即如下第六條之“耗散功率約束”）。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在實(shí)際應(yīng)用中規(guī)格書目中之ID會(huì)比實(shí)際最大工作電流大數(shù)倍，這是因?yàn)樯⒑墓β始皽厣拗萍s束。在初選計(jì)算時(shí)期還須根據(jù)下面第六條的散耗功率約束不斷調(diào)整此參數(shù)。建議初選于 3~5 倍左右 ID = (3~5)*ID_max 。

3 、驅(qū)動(dòng)要求MOSFEF的驅(qū)動(dòng)要求由其柵極總充電電量（Qg）參數(shù)決定。在滿足其它參數(shù)要求的情況下，盡量選擇Qg小者以便驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電壓選擇在保證遠(yuǎn)離最大柵源電壓（ VGSS ）前提下使 Ron 盡量小的電壓值（一般使用器件規(guī)格書中的建議值）

4 、損耗及散熱小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的 Rth 值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。

5 、損耗功率初算MOSFET 損耗計(jì)算主要包含如下 8 個(gè)部分：

即：

PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

詳細(xì)計(jì)算公式應(yīng)根據(jù)具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應(yīng)用場(chǎng)合，還要考慮體內(nèi)二極管正向?qū)ㄆ陂g的損耗和轉(zhuǎn)向截止時(shí)的反向恢復(fù)損耗。損耗計(jì)算可參考下文的“MOS管損耗的8個(gè)組成部分”部分。

6 、耗散功率約束器件穩(wěn)態(tài)損耗功率 PD,max 應(yīng)以器件最大工作結(jié)溫度限制作為考量依據(jù)。如能夠預(yù)先知道器件工作環(huán)境溫度，則可以按如下方法估算出最大的耗散功率：

即：

PD,max ≤ （ Tj,max - Tamb ） / Rθj-a

其中Rθj-a是器件結(jié)點(diǎn)到其工作環(huán)境之間的總熱阻包括Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進(jìn)去。

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