低電壓規(guī)(guī)格趨向

如今曾經(jīng)(jīng)很少有制造商推出新型號(hào)的高壓VMOS（1000V以上），市場(chǎng)上的新品的電壓規(guī)(guī)格根本上集中在500一600V程度。主要的緣由是，低電壓規(guī)(guī)格的VMOS，在功耗方面具有明顯的優(yōu)(yōu)勢(shì)，而且電壓規(guī)(guī)格越低，這個(gè)(gè)優(yōu)(yōu)勢(shì)越明顯。電壓規(guī)(guī)格低于100V以后，VMOS的低功耗優(yōu)(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)直是決議性的。其次是IGBT的開(kāi)展，可以順應(yīng)(yīng)150kHz硬開(kāi)關(guān)(guān)的產(chǎn)(chǎn)品曾經(jīng)(jīng)上市，而且IGBT在高電壓規(guī)(guī)格和大功率規(guī)(guī)格方面有著明顯的優(yōu)(yōu)勢(shì)。

不過(guò)，在電壓規(guī)(guī)格方而，（KIA）VMOS也不是完整沒(méi)有建樹(shù)，豐要開(kāi)展是新型半導(dǎo)(dǎo)體資料的應(yīng)(yīng)用，典型的例了是SiC，相似的開(kāi)展也表現(xiàn)(xiàn)在IGBT方面。目前實(shí)(shí)用化的應(yīng)(yīng)用是用基于肖特基勢(shì)壘的肖特基二極管替代傳統(tǒng)(tǒng)的體二極管，除了有利于降低VMOS的續(xù)(xù)流功耗，重要的是，可以進(jìn)(jìn)步其抵御“雪崩能量”的才能。關(guān)(guān)于雪崩能量的問(wèn)題，相關(guān)(guān)的闡明在本書(shū)的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET，并且不局限于體二極管的產(chǎn)(chǎn)品也曾經(jīng)(jīng)面世，電壓規(guī)(guī)格可達(dá)(dá)1700V，只是目前的產(chǎn)(chǎn)量和跟進(jìn)(jìn)的制造商不多，市場(chǎng)前景還有待察看。

SiC資料的應(yīng)(yīng)用，除了在電壓規(guī)(guī)格方面可以有所打破；在低壓產(chǎn)(chǎn)品中也是大有可為，那就是明顯進(jìn)(jìn)步器件的適用開(kāi)關(guān)(guān)頻率(圖1. 48)。當(dāng)(dāng)然，新型半導(dǎo)(dǎo)體的應(yīng)(yīng)用，并不儀儀限于SiC，曾經(jīng)(jīng)開(kāi)端應(yīng)(yīng)用的新型半導(dǎo)(dǎo)體新資料還有GaN、GaAs等。

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