KNX2910B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V, 漏極電流130A ，提供優(yōu)異的Rd...KNX2910B采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V, 漏極電流130A ，提供優(yōu)異的Rdson，RDS（ON）值為9mΩ，超低導(dǎo)通電阻，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開關(guān)損耗；...
KNP2910A場效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計，漏源擊穿電壓100V, 漏極電流130A ，RD...KNP2910A場效應(yīng)管采用超高密度電池設(shè)計，漏源擊穿電壓100V, 漏極電流130A ，RDS（ON）值為5mΩ，超低導(dǎo)通電阻，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開關(guān)損耗；100%雪崩...
KNB2808A是一款10串-16串保護(hù)板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，R...KNB2808A是一款10串-16串保護(hù)板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，RDS（ON）值為4mΩ，極低RDS（ON）和優(yōu)秀柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開...
KIA35P10AD場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、U...KIA35P10AD場效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、UPS不間斷電源中熱銷，漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ，RDS（ON）值為32mΩ，提供...
KNB3308B是一款10-16串保護(hù)板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（...KNB3308B是一款10-16串保護(hù)板專用MOS管，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（ON）值僅為7.2mΩ，低導(dǎo)通電阻最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗，確保鋰電池...
KNB3208A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNB3208A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用專有新溝槽技術(shù)，超低??電阻減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；低門電荷、快...
