KNY3403A場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用KIA先進(jìn)的溝槽技術(shù)(shù)，低導(dǎo)(dǎo)...KNY3403A場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用KIA先進(jìn)的溝槽技術(shù)(shù)，低導(dǎo)(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)(dǎo)電損耗，減少導(dǎo)(dǎo)通損耗、提供卓越的開(kāi)關(guān)(guān)性...
兩個(gè)PMOS接在上邊作為上橋臂，兩個(gè)NMOS接在下邊作為下橋臂，要想讓PMOS導(dǎo)(dǎo)通，那...兩個(gè)PMOS接在上邊作為上橋臂，兩個(gè)NMOS接在下邊作為下橋臂，要想讓PMOS導(dǎo)(dǎo)通，那么PMOS柵極的電壓就要低于源極的電壓，而且柵源之間的電壓要低于開(kāi)啟電壓。
如上圖所示，為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)(dǎo)通，那么可以有幾種控制方式...如上圖所示，為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時(shí)導(dǎo)(dǎo)通，那么可以有幾種控制方式： PWM控制上管，下管電平控制（恒高或者恒低）； PWM控制下管，上管電平控制；
KNY3303B場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，采用KIA先進(jìn)的溝槽技術(shù)(shù)，特別...KNY3303B場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，采用KIA先進(jìn)的溝槽技術(shù)(shù)，特別針對(duì)減少導(dǎo)(dǎo)通損耗、提供卓越的開(kāi)關(guān)(guān)性能以及在雪崩和換向模式下承受高能脈沖進(jìn)行了優(yōu)(yōu)...
在正負(fù)(fù)半周時(shí)，不同的晶閘管導(dǎo)(dǎo)通與關(guān)(guān)斷，實(shí)現(xiàn)(xiàn)電流的連續(xù)(xù)轉(zhuǎn)(zhuǎn)換。當(dāng)(dāng)電源電壓處于正...在正負(fù)(fù)半周時(shí)，不同的晶閘管導(dǎo)(dǎo)通與關(guān)(guān)斷，實(shí)現(xiàn)(xiàn)電流的連續(xù)(xù)轉(zhuǎn)(zhuǎn)換。當(dāng)(dāng)電源電壓處于正半周時(shí)，VT1和VT4構(gòu)(gòu)成一對(duì)橋臂。一旦晶閘管接收到觸發(fā)(fā)脈沖，它們會(huì)導(dǎo)(dǎo)通，而當(dāng)(dāng)電源電...
電子鎮(zhèn)(zhèn)流器是一種用于氣體放電燈（如熒光燈、高壓鈉燈、金屬鹵化物燈等）啟動(dòng)和...電子鎮(zhèn)(zhèn)流器是一種用于氣體放電燈（如熒光燈、高壓鈉燈、金屬鹵化物燈等）啟動(dòng)和穩(wěn)(wěn)定工作的電子設(shè)(shè)備。它的核心作用是通過(guò)提供高頻交流電（通常為20-50kHz）替代傳統(tǒng)(tǒng)...
