源極（S）：在符號中始終表現為兩條導線的交叉點，負責為導電溝道提供載流子（...源極（S）：在符號中始終表現為兩條導線的交叉點，負責為導電溝道提供載流子（電子或空穴），是電流的輸入或輸出端。 漏極（D）：在符號中為單獨引線的一側，作為...
ao3400場效應管代換型號KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽...ao3400場效應管代換型號KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關...
KNH2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.6m...KNH2906B場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，最大限度地減少導電損耗，提高效率；采用KIA半導體尖端技術制造，具有?快速開關...
電源從左側正常輸入時： 當VCC有效時，PMOS的體二極管率先導通，隨后S極的電壓...電源從左側正常輸入時： 當VCC有效時，PMOS的體二極管率先導通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一，主要用于中功率場景。 SOT-89封裝尺寸規...SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一，主要用于中功率場景。 SOT-89封裝尺寸規范： 主體尺寸4.5mm（長）×2.45mm（寬）×1.55mm（高） 引腳布局：3/5引腳配置，...
KNF7150A?場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有平面技術制造，極...KNF7150A?場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有平面技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 0.24Ω，最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，有效降低開關損...
