P溝道MOS管-P溝道MOS管型號(hào)、參數(shù)(shù)及工作原理-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2018-07-17
① 開(kāi)啟電壓VGS(th) (或VT)
開(kāi)啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)(shù)，柵源電壓小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通
② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)
夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off) 時(shí)，漏極電流為零
③ 飽和漏極電流IDSS
耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管，當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流
④ 輸入電阻RGS
場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，對(duì)于絕緣柵場(chǎng)型效應(yīng)三極管，RGS約是109～1015Ω
⑤ 低頻跨導(dǎo)gm
低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用，這一點(diǎn)與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)(zhuǎn)移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門(mén)子)
⑥ 最大漏極功耗PDM
最大漏極功耗可由PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（V） |
RDS（ON）（Ω） |
Package |
|
KIA2301 |
-2.8 |
-20 |
0.12 |
SOT-23 |
|
KIA2305 |
-3.5 |
-20 |
0.055 |
SOT-23 |
|
KIA3401 |
-4 |
-30 |
0.06 |
SOT-23 |
|
KIA3407 |
-4.1 |
-30 |
0.06 |
SOT-23 |
|
KIA3409 |
-2.6 |
-30 |
0.13 |
SOT-23 |
|
KIA3415 |
-4 |
-16 |
0.045 |
SOT-23 |
|
KIA3423 |
-2 |
-20 |
0.092 |
SOT-23 |
|
KIA4953 |
-5.3 |
-30 |
0.063 |
SOP-8 |
|
KIA9435 |
-5.3 |
-30 |
0.06 |
SOP-8 |
|
KIA7P03A |
-7.5 |
-30 |
0.018 |
SOP-8 |
|
KIA4435 |
-10.5 |
-30 |
0.018 |
SOP-8 |
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
內(nèi)(nèi)阻（小） |
內(nèi)(nèi)阻（大） |
ciss |
Package |
|
|
pF |
|||||||
|
KIA23P10A |
-23 |
-100 |
0.95 |
0.078 |
3029 |
TO-252 |
|
|
KIA35P10A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
4920 |
TO-252 |
|
|
KPD8610A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
6516 |
TO-252 |
|
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
內(nèi)(nèi)阻（小） |
內(nèi)(nèi)阻（大） |
ciss |
Package |
|
pF |
||||||
|
KIA9N90H |
9 |
900 |
1.4 |
1.12 |
2780 |
TO-247 |
|
KAI18N50H |
18 |
500 |
0.32 |
0.25 |
2500 |
TO-247 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.26 |
0.21 |
2700 |
TO-247 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.2 |
0.16 |
3500 |
TO-247 |
|
KIA3306A |
80 |
60 |
0.008 |
0.007 |
3390 |
TO-247 |
|
KNM3308A |
80 |
80 |
0.09 |
0.0062 |
3110 |
TO-247 |
|
KIA2906A |
130 |
60 |
0.007 |
0.0055 |
3100 |
TO-247 |
|
KIA2807N |
150 |
75 |
0.006 |
0.005 |
7200 |
TO-247 |
|
KIA2808A |
150 |
80 |
0.0045 |
0.004 |
6109 |
TO-247 |
|
KIA2806A |
160 |
40 |
0.0045 |
0.0035 |
4376 |
TO-247 |
|
KIA2804A |
190 |
60 |
0.0035 |
0.0022 |
4800 |
TO-247 |
|
KIA2N60H |
2 |
600 |
5 |
4.1 |
200 |
TO-220F |
|
KIA3N80H |
3 |
800 |
4.8 |
4 |
543 |
TO-220F |
|
KNF4360A |
4 |
600 |
2.3 |
1.9 |
511 |
TO-220F |
|
KIA4N60H |
4 |
600 |
2.7 |
2.3 |
500 |
TO-220F |
|
KIA730H |
6 |
400 |
1 |
0.83 |
520 |
TO-220F |
|
KIA9N90H |
9 |
900 |
1.4 |
1.12 |
2780 |
TO-3P |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
1.1 |
0.85 |
2230 |
TO-3P |
|
KIA16N50H |
16 |
500 |
0.38 |
0.32 |
2200 |
TO-3P |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.32 |
0.25 |
2500 |
TO-3P |
|
KIA20N40H |
20 |
400 |
0.25 |
0.2 |
2135 |
TO-3P |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.26 |
0.21 |
2700 |
TO-3P |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.2 |
0.16 |
3500 |
TO-3P |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.065 |
0.15 |
4150 |
TO-3P |
|
KNH9120A |
40 |
200 |
0.1 |
0.05 |
2800 |
TO-3P |
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)(xiàn)P型反型層，成為銜接源極和漏極的溝道。改動(dòng)?xùn)艍嚎梢愿膭?dòng)溝道中的電子密度，從而改動(dòng)溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。假設(shè)N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上恰當(dāng)?shù)鈉珘海墑箿系賴碾娮柙齟蠡驕p小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值普通偏高，懇求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性，與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過(guò)程長(zhǎng)，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)呈現(xiàn)(xiàn)之后，多數(shù)(shù)已為NMOS電路所取代。只是，因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單，價(jià)錢(qián)低價(jià)，有些中范圍和小范圍數(shù)(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)(qū)動(dòng)）。但是，固然PMOS可以很便當(dāng)?shù)賾米鞲叨蓑?qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)錢(qián)貴，交流種類少等緣由，在高端驅(qū)(qū)動(dòng)中，通常還是運(yùn)用NMOS。
正常工作時(shí)，P溝道增強(qiáng)型MOS管的襯底必需與源極相連，而漏心極的電壓Vds應(yīng)為負(fù)值，以保證兩個(gè)P區(qū)(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時(shí)為了在襯底頂表面左近構(gòu)成導(dǎo)電溝道，柵極對(duì)源極的電壓Vgs也應(yīng)為負(fù)。
1．Ｖds≠Ｏ的情況導(dǎo)電溝道構(gòu)成以后，ＤＳ間加負(fù)向電壓時(shí)，那么在源極與漏極之間將有漏極電流Ｉd流通，而且Ｉd隨Vds而增加．Ｉd沿溝道產(chǎn)(chǎn)生的壓降使溝道上各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，該電壓削弱了柵極中負(fù)電荷電場(chǎng)的作用，使溝道從漏極到源極逐漸變窄．當(dāng)Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），溝道在漏極左近呈現(xiàn)(xiàn)預(yù)夾斷．
2．導(dǎo)電溝道的構(gòu)成（Ｖds＝0）當(dāng)Vds=0時(shí)，在柵源之間加負(fù)電壓Vgs，由于絕緣層的存在，故沒(méi)有電流，但是金屬柵極被補(bǔ)充電而聚集負(fù)電荷，Ｎ型半導(dǎo)體中的多子電子被負(fù)電荷排斥向體內(nèi)(nèi)運(yùn)動(dòng)，表面留下帶正電的離子，構(gòu)成耗盡層，隨著Ｇ、Ｓ間負(fù)電壓的增加，耗盡層加寬，當(dāng)Vgs增大到一定值時(shí)，襯底中的空穴（少子）被柵極中的負(fù)電荷吸收到表面，在耗盡層和絕緣層之間構(gòu)成一個(gè)Ｐ型薄層，稱反型層，這個(gè)反型層就構(gòu)成漏源之間的導(dǎo)電溝道，這時(shí)的Ｖgs稱為開(kāi)啟電壓Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，襯底表面感應(yīng)的空穴越多，反型層加寬，而耗盡層的寬度卻不再變化，這樣我們可以用Vgs的大小控制導(dǎo)電溝道的寬度。
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