MOS管溝通小信號(hào)(hào)模型

1．MOS管低頻小信號(hào)(hào)模型

因?yàn)樵讜S多模仿電路中，MOS管被偏置在飽滿區(qū)(qū)，所以主要推導(dǎo)(dǎo)出在飽滿區(qū)(qū)的小信號(hào)(hào)模型。所謂小信號(hào)(hào)是指對(duì)(duì)偏置的影響十分小的信號(hào)(hào)，關(guān)(guān)于MOS管而言，其小信號(hào)(hào)是相關(guān)(guān)于過(guò)驅(qū)(qū)動(dòng)(dòng)電壓( VGS -Vth)[而言的（這將在第2章中進(jìn)(jìn)行解說(shuō)）。

由前面的剖析可知：在飽滿區(qū)(qū)時(shí)(shí)MOS管的漏極電流足柵／源電壓的函數(shù)(shù)，可引入一個(gè)(gè)壓控電流源來(lái)表明，其電流值為gmVGS，且因?yàn)闁牛粗g的低頻阻抗很高，因而可得到一個(gè)(gè)抱負(fù)(fù)的MOS管的小信號(hào)(hào)模型，如圖1.16 (a)所示。

實(shí)(shí)踐的模仿集成電路中MOS管存在著二階效應(yīng)(yīng)：溝道調(diào)(diào)制效應(yīng)(yīng)、襯底偏置效應(yīng)(yīng)等，因而有必要考慮二階效應(yīng)(yīng)時(shí)(shí)MOS管的小信號(hào)(hào)等效模型。

因?yàn)闇系勒{(diào)(diào)制效應(yīng)(yīng)等效于漏／源之間存在的電阻ro;而襯底偏置效應(yīng)(yīng)則體現(xiàn)(xiàn)為背柵效應(yīng)(yīng)，即可用漏／源之間的等效壓控電流源gmbVBS表明，因而MOS管在飽滿區(qū)(qū)的小信號(hào)(hào)等效模型如圖1.16 (b)所示。

圖1.16所示的等效電路是最基本的，依據(jù)(jù)MOS管在電路中不同的接法能夠進(jìn)(jìn)一步簡(jiǎn)(jiǎn)化。

2.MOS管高頻小信號(hào)(hào)等效電路

在高頻應(yīng)(yīng)用時(shí)(shí)，MOS管的分布電容就不能疏忽，即在考慮高頻溝通小信號(hào)(hào)作業(yè)(yè)時(shí)(shí)有必要考慮MOS管的分布電容對(duì)(duì)電路功能的影響，所以MOS管的高頻小信號(hào)(hào)等效電路能夠在其低頻小信號(hào)(hào)等效電路的基礎(chǔ)(chǔ)上參加MOS管的極間電容完成，如圖1.17所示。

因?yàn)樵誆煌鳂I(yè)(yè)狀況（截止、飽滿、線性）時(shí)(shí)MOS管的分布電容值不同，因而若進(jìn)(jìn)行詳細(xì)(xì)的核算比較困難，但能夠經(jīng)(jīng)過(guò)軟件模仿進(jìn)(jìn)行剖析。

另外，在高頻電路中有必要注意其作業(yè)(yè)頻率受MOS管的最高作業(yè)(yè)頻率的約束（即電路的工作頻率，如高于MOS管的最高作業(yè)(yè)頻率時(shí)(shí)，電路不能正常工作）。

聯(lián)(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)(lián)系地址：深圳市福田區(qū)(qū)車(chē)公廟天安數(shù)(shù)碼城天吉大廈CD座5C1

請(qǐng)(qǐng)搜微信公眾號(hào)(hào):“KIA半導(dǎo)(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)(guān)注”官方微信公眾號(hào)(hào)

請(qǐng)(qǐng)“關(guān)(guān)注”官方微信公眾號(hào)(hào):提供  MOS管  技術(shù)(shù)幫助