儲能電源mos管,650v場效應管,KIA12N65H參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-31
KIA12N65H場效應管漏源電壓650V，漏極電流12A，導通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值52nC），最小化開關損耗，快速切換能力在電路中能夠迅速響應信號變化，確保信號傳輸?shù)臏蝕_性、雪崩能量規(guī)定和改進的dv/dt能力增強了穩(wěn)定性及安全性；專為高壓、高速功率開關應用而設計，如高效開關電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：12A
漏源通態(tài)電阻：0.63Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
總柵極電荷：52nC
輸入電容：1850 PF
輸出電容：180 PF
開通延遲時間：30nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：90ns
下降時間：90ns
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