體二極管的技術(shù)(shù)參數(shù)(shù)VSD、Is、trr、Qrr、ISM、IRRM

早期的功率MOSFET常常會(huì)(huì)由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控，或者形成漏-源極的擊穿損壞。而在大功率的高速開關(guān)(guān)電路中，純阻性負(fù)(fù)載是很少見的，即便外部負(fù)(fù)載是純阻性的，電路的散布參數(shù)(shù)、VMOS本身的散布參數(shù)(shù)在VMOS高速開關(guān)(guān)期間，也會(huì)(huì)有時(shí)(shí)間很短但是速度很快的電壓/電流變化現(xiàn)(xiàn)象。形成MOSFET易損的緣由是內(nèi)(nèi)部寄生的NPN晶體管在作祟。

以雙擴(kuò)(kuò)散廠藝為代表的MOSFET消費(fèi)(fèi)工藝，縮短了N+源區(qū)(qū)，同時(shí)(shí)增加了P+基區(qū)(qū)，寄生的NPN晶體管被根本上抑止掉了，轉(zhuǎn)(zhuǎn)而為一個(gè)(gè)PN結(jié)(jié)所替代，這就是寄生二極管（體二極管）。

但是體二極管的開關(guān)(guān)速度常常并不夠快，在低速開關(guān)(guān)電路中，體二極管是很好用的續(xù)(xù)流二極管，可以有效地維護(hù)(hù)VMOS，但是在高速電路中，常常需求—個(gè)(gè)開關(guān)(guān)速度更快的二極管（如肖特基二極管）與之并聯(lián)(lián)，以免由于體二極管來不及翻開形成災(zāi)(zāi)難性的結(jié)(jié)果（失控或者損壞）。這無疑會(huì)(huì)增加電路本錢。

因而體二極管的性能關(guān)(guān)于VMOS而言，也是相當(dāng)(dāng)重要的，特別是高速開關(guān)(guān)電路中，它的性能決議了你能否需求額外增加開關(guān)(guān)速度更高的續(xù)(xù)流二極管。

體二極管的技術(shù)(shù)參數(shù)(shù)的意義如下。

源極連續(xù)(xù)電流，漏極與源極間的體二極管的最大正向連續(xù)(xù)電流，也寫作IDR，意義是（漏極連續(xù)(xù)反向電流）。手冊(cè)(cè)普通給出的是最大值，這個(gè)(gè)參數(shù)(shù)表征的是在VMOS關(guān)(guān)斷、體二  極管開通時(shí)(shí)能接受的最大電流，電流方向與漏極電流相反，以不超越管芯的結(jié)(jié)溫為限。假如僅僅表示體二極管的正向續(xù)(xù)流電流而不是最大值時(shí)(shí)，普通用IF表示；不過，在一些老產(chǎn)(chǎn)品的技術(shù)(shù)手冊(cè)(cè)中，IF也表示續(xù)(xù)流電流的最大值。

IS是體二極管的電流規(guī)(guī)格，普通與VMOS的電流規(guī)(guī)格相同。因而，在緊急狀況下，將源極與柵極短接起來，VMOS能夠充任大電流的快恢復(fù)(fù)二極管運(yùn)(yùn)用。

體二極管正向壓降，漏極與源極間的體二極管的正向壓降，也寫作（體二極管）正向壓降和VF，體二極管正向壓降）。VSD的是在VMOS關(guān)(guān)斷、體二極管開通時(shí)(shí)，給定Is條件下，體二極管的導(dǎo)(dǎo)通壓降。手冊(cè)(cè)普通給出的是最大值，數(shù)(shù)值在1V左右。

源極脈沖電流（體二極管），漏極與源極間的體二極管的最大正向脈沖電流，也寫作IDRP，意義是（漏極反向脈沖電流）。這個(gè)(gè)參數(shù)(shù)表征的是體二極管抗單次電流沖擊的極限才能，手冊(cè)(cè)普通給出的是最大值，數(shù)(shù)值上與VMOS的IDM相同。

（體二掇管）反向恢復(fù)(fù)電流，也寫作Irr。這個(gè)(gè)參數(shù)(shù)表征的是體二極管關(guān)(guān)斷時(shí)(shí)的結(jié)(jié)電容的充電電流。正導(dǎo)(dǎo)游通的體二極管作為續(xù)(xù)流二極管運(yùn)(yùn)用時(shí)(shí)，續(xù)(xù)流電流也會(huì)(huì)同時(shí)(shí)給體二極管的結(jié)(jié)電容充電，續(xù)(xù)流完畢后，體二極管并不會(huì)(huì)馬上關(guān)(guān)斷，這是由于結(jié)(jié)電容所存儲(chǔ)(chǔ)電荷的釋放而構(gòu)(gòu)成與續(xù)(xù)流電流方向相反的“恢復(fù)(fù)”電流，這個(gè)(gè)反向恢復(fù)(fù)電流的方向與VMOS開通時(shí)(shí)的漏極電流的方向則是相同的，從而會(huì)(huì)增加VMOs的漏極功耗。IRRM是一個(gè)(gè)疾速變化的量，技術(shù)(shù)手冊(cè)(cè)普通給出的是峰值，不是一切的技術(shù)(shù)手冊(cè)(cè)都給出這個(gè)(gè)參數(shù)(shù)值。

（體二極管）反向恢復(fù)(fù)時(shí)(shí)間。這個(gè)(gè)參數(shù)(shù)表征的是體二極管的結(jié)(jié)電容的電荷泄放時(shí)(shí)間，也就是IRRM的存續(xù)(xù)時(shí)(shí)間。

目前依據(jù)(jù)二極管的反向恢復(fù)(fù)時(shí)(shí)間對(duì)(duì)功率二極管的分類，普通二極管的trr>500ns:trr在300一500ns之間為快速二極管；trr在100～300ns為快恢復(fù)(fù)二極管；trr在50-100ns為超快恢復(fù)(fù)二極管；trr<10ns為肖特基二極管，如今有一些超快恢復(fù)(fù)二極管的trr在20一50ns之間。小功率開關(guān)(guān)二極管的trr般也小于20ns。

（體二極管）反向恢復(fù)(fù)電荷。這個(gè)(gè)參數(shù)(shù)表征的是體二極管的結(jié)(jié)電容在止向開通期間所存儲(chǔ)(chǔ)的電荷，相當(dāng)(dāng)于體二極管的結(jié)(jié)電容所存儲(chǔ)(chǔ)的能量。

一些產(chǎn)(chǎn)品的技術(shù)(shù)手冊(cè)(cè)還會(huì)(huì)給出體二極管的反向恢復(fù)(fù)時(shí)(shí)間的降落時(shí)(shí)間(ta)、上升時(shí)(shí)間(tb)，普通而言，ta>tb。

上述諸參數(shù)(shù)能夠在體二極管的電流波形上直觀地表現(xiàn)(xiàn)出來（圖3. 21）。

技術(shù)(shù)手冊(cè)(cè)在給出體二極管的技術(shù)(shù)參數(shù)(shù)時(shí)(shí)，測(cè)(cè)試條件中會(huì)(huì)有圖3。21中的di/dt參數(shù)(shù)，在給出的曲線圖中，有時(shí)(shí)會(huì)(huì)采用dif/dt，由于反向恢復(fù)(fù)電流的—卜升速率更快，因而更有代表性。二者對(duì)(duì)Irr、trr、Qrr均有明顯影響，對(duì)(duì)IRRM、Qrr影響是正向的，對(duì)(duì)trr的影響則是反向的。圖3. 22是IRF3207的技術(shù)(shù)手冊(cè)(cè)中給出的波形圖，VR表示體二極管兩端的最人反向恢復(fù)(fù)電壓。