電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)板推薦MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-23
KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內(nèi)專注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品，是使用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)特別定制，以最小化導(dǎo)通電阻，提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該設(shè)備廣泛用于UPS和逆變器系統(tǒng)的電源管理等。
隨著手機(jī)快充、電動(dòng)汽車、無刷電機(jī)和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來越大，中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展，因其巨大的市場(chǎng)份額，國內(nèi)外諸多廠商在相應(yīng)的新技術(shù)研發(fā)上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開關(guān)器件廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。
SGT MOSFET結(jié)構(gòu)具有電荷耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結(jié)垂直耗盡的基礎(chǔ)上引入了水平耗盡，將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植迹诓捎猛瑯訐诫s濃度的外延材料規(guī)格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。
較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關(guān)電源，電機(jī)控制，動(dòng)力電池系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域中，SGT MOSFET配合先進(jìn)封裝，非常有助于提高系統(tǒng)的效能和功率密度。
SGT技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
提升功率密度
SGT結(jié)構(gòu)相對(duì)傳統(tǒng)的Trench結(jié)構(gòu)，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導(dǎo)通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術(shù)，可以得到更低的導(dǎo)通電阻。
極低的開關(guān)損耗
SGT相對(duì)傳統(tǒng)Trench結(jié)構(gòu)，具有低Qg 的特點(diǎn)。屏蔽柵結(jié)構(gòu)的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達(dá)10倍以上，有助于降低器件在開關(guān)電源應(yīng)用中的開關(guān)損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應(yīng)用中抑制shoot-through的關(guān)鍵指標(biāo)，采用SGT結(jié)構(gòu)，可以獲得更低的CGD/CGS比值。
更好的EMI優(yōu)勢(shì)
SGT MOS結(jié)構(gòu)中的內(nèi)置電阻電容緩沖結(jié)構(gòu)，可以抑制DS電壓關(guān)斷時(shí)的瞬態(tài)振蕩，開關(guān)電源應(yīng)用中，SGT結(jié)構(gòu)中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關(guān)斷時(shí)dv/dt變化帶來的尖峰和震蕩，進(jìn)一步降低應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)。
VGS=10V時(shí)，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）
低柵極電荷
低Crss
快速切換
額定極限dv/dt
100%雪崩測(cè)試
無鉛電鍍
符合RoHS
KCX2704A漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為150A；開啟延遲典型值為22nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為87nS，上升時(shí)間64nS，下降時(shí)間28nS，反向傳輸電容43pF，反向恢復(fù)時(shí)間67nS，正向電壓的典型值1.4V。
圖：KCX2704A引腳配置
圖：KCX2704A規(guī)格書
【KCX2704A應(yīng)用】
40V 150A MOS管KCX2704A推薦用于鋰電池保護(hù)板、無人機(jī)電調(diào)、同步整流、電動(dòng)工具等。
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