N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?MOS耗盡型的哪個(gè)常用
信息來源：本站 日期：2017-07-26
耗盡型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)與增強(qiáng)型MOSFET有著同樣的柵極結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)，所不同是，在常態(tài)(tài)下，它內(nèi)(nèi)部的（導(dǎo)電）溝道是天生的。換言之，常態(tài)(tài)下的耗盡型MOSFET是導(dǎo)通的，這一點(diǎn)與JFET相同，所不同的是二者的柵極結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)。
耗盡型MOSFET也有N溝道與P溝道兩種，以P溝道較為常見。橫向溝道的耗盡型MOSFET的結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)簡圖如圖1.22所示，也有垂直溝道的產(chǎn)(chǎn)品。P溝道的只需要將結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)圖中的“P"與“N”對(duì)調(diào)(diào)即可。
目前市場上只能見到小功率耗盡型MOSFET產(chǎn)(chǎn)品，電壓規(guī)(guī)格為500V左右，比JFET要高得多
關(guān)(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請(qǐng)搜微信號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)(guān)注”
長按二維碼識(shí)別關(guān)(guān)注
