場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管主要參數(shù)(shù)是什么？電子元器件主要參數(shù)(shù)是什么？
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-21
通常將剛剛形成導(dǎo)(dǎo)電溝道、出現(xiàn)(xiàn)漏極電流ID時(shí)(shí)對(duì)應(yīng)(yīng)的柵一源電壓稱為開(kāi)啟電壓，用UGS(th)或UT表示。
開(kāi)啟電壓UT是MOS增強(qiáng)(qiáng)型管的參數(shù)(shù)。當(dāng)(dāng)柵一源電壓UGS小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值時(shí)(shí)，場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管不能導(dǎo)(dǎo)通。
當(dāng)(dāng)UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時(shí)(shí)，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)(dāng)UGS＝UP時(shí)(shí)，漏極電流為零。
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管發(fā)(fā)生預(yù)(yù)夾斷時(shí)(shí)的漏極電流。IDSS型場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管所能輸出的最大電流。
直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時(shí)(shí)柵一源極 之間的直流電阻。
結(jié)(jié)型場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管柵一源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)(gè)參數(shù)(shù)。gm相當(dāng)(dāng)于三極管的hFE。
最大漏極功耗PD＝UDSID，相當(dāng)(dāng)于三極管的PCM。
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