場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管是應(yīng)(yīng)用電場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)來(lái)控制電流變化的放大元件。它與晶體管相比，具有輸入阻高、噪聲低、熱穩(wěn)(wěn)定性好等優(yōu)(yōu)點(diǎn)(diǎn)，因此得到了疾速開(kāi)展與應(yīng)(yīng)用。場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管與晶體管同為放器件，但工作原理不同：晶體管是電流控制器件，在一定條件下，其集電極電流受基極電控制；而場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管是電壓控制器件，電了電流受柵極電壓控制。

場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的基本知識(shí)(shí)
定義

場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)晶體管簡(jiǎn)(jiǎn)稱場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管。它由多數(shù)(shù)載流子參與導(dǎo)(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小、功耗低、動(dòng)(dòng)態(tài)(tài)范圍大、易于集成，沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)(xiàn)象、平安工作區(qū)(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)(diǎn)。在開(kāi)關(guān)(guān)電源中常用的是金屬—氧化物—半導(dǎo)(dǎo)體場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管MOSFET（MetalOxide Semicoductor Field Effect Tran-sistor），它是由金屬、氧化物（Sio2或SiN)半導(dǎo)(dǎo)體三種資料制成的，是應(yīng)(yīng)用電壓控制電流以完成放大作用的半導(dǎo)(dǎo)體器件。

2．功用

①場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管可應(yīng)(yīng)用于放大。由于場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的放大器的輸入電阻很高，所以其耦合電容的容量能夠較小：不用運(yùn)(yùn)用電解電容。

② 場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管能夠用做電子開(kāi)關(guān)(guān)。

③場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的輸入阻抗很高，因而它十分合適用于阻抗變換。它常用在多級(jí)(jí)放大器的輸入級(jí)(jí)停止阻抗變換。
④場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管能夠用做可變電阻。

⑤場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管能夠便當(dāng)(dāng)?shù)賾米齪懔髟礎(chǔ)?

3.場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的分類

場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管分為結(jié)(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)(jié)型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)(gè)PN結(jié)(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管則因柵極與其他電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管中，應(yīng)(yīng)用最為普遍的是MOS場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管，簡(jiǎn)(jiǎn)稱MOS管（即金屬—氧化物—半導(dǎo)(dǎo)體場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管，MOSFET）；此外還有PMOS，NMOS和UMOS功率場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的，πMOS場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管等。按溝道半導(dǎo)(dǎo)體資料的不同，結(jié)(jié)型和絕緣柵型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管各分為N溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)(qiáng)型。結(jié)(jié)型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管均為耗盡型，MOS柵型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)(qiáng)型的。場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)晶體管可分為結(jié)(jié)型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)晶體管和Mos場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)(qiáng)型，P溝耗盡型和加強(qiáng)(qiáng)型四大類。

4．主要參數(shù)(shù)

1)直流參數(shù)(shù)

開(kāi)啟電壓UT：是指加強(qiáng)(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)(dǎo)通時(shí)(shí)的柵極電壓。

夾斷電壓uGS（Off，（也能夠用UP）：是指加強(qiáng)(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)(shí)的柵極電壓。

飽和漏極電流IDss：指耗盡型絕緣柵場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管在UGS=o時(shí)(shí)的漏極電流。

輸入電阻RDS(DC)：因iG=0，所以輸入電阻很大。JPET的輸入電阻大于107Ω，MOSFET的輸入電阻大于1012Ω。

2)交流參數(shù)(shù)  低頻跨導(dǎo)(dǎo)（互導(dǎo)(dǎo)）gm：反映了柵源電壓對(duì)(duì)漏極電流的控制才能，且與工作點(diǎn)(diǎn)有關(guān)(guān)，是轉(zhuǎn)(zhuǎn)移特性曲線上過(guò)Q點(diǎn)(diǎn)切線的斜率。

3)極限參數(shù)(shù)  最大漏—源電壓U（BR)DS:漏極左近發(fā)(fā)作雪崩擊穿時(shí)(shí)的UDs（漏源電壓）。  最大柵—源電壓U（BR)CS:柵極與源極間PN結(jié)(jié)的反向擊穿電壓。  最大耗散功率PDM:與晶體管的PcM類似，當(dāng)(dāng)功率超越PDM時(shí)(shí)，場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管可能燒壞。

場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管的命名辦法

第一種命名辦法：與雙極型晶體管相同，其中第三位字母為J代表結(jié)(jié)型場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管，為0代表絕緣柵場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管；

第二位字母代表資料，其中D是P型硅，其反型層是N溝道，C是N型硅，其反型層是P溝道。例如，3DJ6D是結(jié)(jié)型N溝道場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)品體管，3D06C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)晶體管。第二種命名辦法：CS X x#，其中CS代表場(chǎng)(chǎng)效應(yīng)(yīng)管，xx是以數(shù)(shù)字代表型號(hào)(hào)的序號(hào)(hào)，#是用字母代表同一型號(hào)(hào)中的不同規(guī)(guī)格，如CS14A、CS45G等。

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