其他類型的基極驅(qū)動電路

在過去的幾年里 ，出現(xiàn)了許多專門用于驅(qū)動雙極型晶體管的電路 。它們大多應(yīng)用于低功率場合 ，這些電路通過各種方法來達到以 F兩個目標 ：①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流，或者在關(guān)斷和導通的過相巾將基極和發(fā)射極短路：②在主電路電流最大的時候，正向基極電流足夠驅(qū)動盧值小的晶體管 ，同時不會在主電路電流最小時驅(qū)動盧值大的晶 體管而產(chǎn)生存儲時間過長的問題 。下面將給出些例子。

設(shè)計了如圖 8.14 C a ）所示的電路 ，用在 lOOOW 的離線式電源中該電路的主要特性是 ，在 Q2 即將關(guān)斷時導通 QI ，并通過變壓器 Tl 將電流和 2V 反向基極偏置電壓提 供給功率晶體管 Q2o 它既可驅(qū)動下橋臂的功率晶體管 ，也可工作在MOS管電源開關(guān)電路中來驅(qū)動上橋臂的晶體管。這個電路在低功率場合也得到了廣泛應(yīng)用  。它的工作原理如下 。

假設(shè)（ 圖 8.14 C b ) 電壓在 Q2 半個周期的部分時間內(nèi)為高 ，其余時間內(nèi) Q2 將 關(guān)斷 （ Q2 的死區(qū)），Ns 上的電壓被鉗位為零 。在下半個周期里 ，電壓反向?qū)Υ判倪M行復位。將芯片的輸出腳 11 和輸出腳 14 連接于初級，就可以獲得所需的波形了。適當選擇變壓器Tl 的比使次級電壓 Vs 約為 4V。再選擇合適的電阻 RI ，給 Q2 基極限流 ，并能夠以要求的速度將 P 值最小的晶體管MOS管驅(qū)動至飽和導通 ，即

Ns 上的電壓約為 4V,  R I 上的電壓約為 3V, 左端被充電到相對 Q2 發(fā)射極為一2V, RI 左端電位相對于 Q2 發(fā)射極為一3V 。當 R l 中有電流流過時，Ql 有一lV 反偏電壓 ，處于關(guān) 斷狀態(tài)。

在死區(qū)初始時刻 ，Vs 跌落至零 ，Q2 快速關(guān)斷 ，其存儲時間越小越好 。一旦 Vs 下降為零， Cl  左端電位將比 Q2 發(fā)射極電位低 2V, 就相當于一個 2V  的浮充電源，給由 R l 、R2  和 Ql  的基射極串聯(lián)構(gòu)成的電路供電 。

此時，QI 導通 ，提供 Q2 基射極間的 2V 反向偏置電壓 ，Q2 關(guān)斷。Q2 基極的反向電流 具體是多少并不能確定 。QI 為 2N2222A 型管，它是一種流過 500mA 電流時，最小增益為 50 的快速晶體管 ，這足夠令 Q2 快速關(guān)斷了 ，且存儲時間也足夠小 。在 風的同名端再次為正 時，QI  因墓極反偏而關(guān)斷 。

如圖 8.14 C c ） 所示，該電路用更為便宜的 SG3524 芯片取代了 UC3525 。在這里 ，當 Vs 極性反向時 ，穩(wěn)壓二極管 Zl ( 3.3V ） 和二極管 D2 對其進行鉗位 ，并在設(shè)定的時間內(nèi)對磁心 進行復位 。為了避免被 QI   鉗位 ，二極管 D3  用來阻斷復位電壓 。

Cl 通過 DI 被充至一個浮充偏置電壓 ，它通過R I 和 R2 的串聯(lián)電路導通 Qla Ql 導通時， 將 Q2 基極電壓拉低到一 2V ，從而關(guān)斷 Q2。由于增加了二極管 D3, Tl 的臣比需要根據(jù)使 Vs 獲得約 5V 電壓的要求進行選擇。

圖 8.14 (a) Wood 基極MOS驅(qū)動電路 。當 N，的同名端為正，Q2 導通時，其基極電流被 Rl 限制。電壓 V，的選 擇應(yīng)滿足使在流過己知基極電流的時候 Rl 上約有 4V 的電壓。若 Rl 上電壓為 4V ，則 Cl 通過 D1 充電至 3V 。當 N，上有電壓時，QI 被反向偏置而關(guān)斷 。當 NP 上的電壓跌落至零時 ，N，上的電壓 也跌落至零 。Cl 上的 3V 電壓通過電阻 Rl 和 R2 將 Ql 導通。這樣就給 Q2 的基極施加上 3V 的 反向偏置電壓 ，并令其迅速關(guān)斷 。C c） 在電路中增加 D3, Zl 和 D2 ，允許 Tl 直接連接到 3524 芯 片的輸出晶體管集電極上。

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