vdmos結構原理及特點-LDMOS與VDMOS比較分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-11-06
vdmos結構原理是本文要講述的，80年代以來，迅猛發展的超大規模集成電路技術給高壓大電流半導體注入了新的活力，一批新型的聲控功放器件誕生了，其中最有代表性的產品就是VDMOS聲效應功率晶體管。
這種電流垂直流動的雙擴散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下，半導體表面反型，形成導電溝道，于是漏極和源極之間流過適量的電流，VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優點。與雙極晶體管相比，它的開關速度，開關損耗小；輸入阻抗高，驅動功率小；頻率特性好；跨導高度線性。
特別值得指明出的是，它具有負的溫度系數，沒有雙極功率的二次穿問題，安全工作出了區大。因此，不論是開關應用還是線性應用，VDMOS都是理想的功率器件。
現在，VDMOS器件已廣泛應用于各種領域，包括電機調速、逆變器、不間熠電源、開關電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮流器等。由于VDMOS的性能價格比已優于比極功率器件，它在功率器件市聲中的份額已達42%。并將繼續上升。
VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優點，無論是開關應用還是線形應用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要應用于電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮流器等。
VDMOS接近無限大的靜態輸入阻抗特性，非常快的開關時間，導通電阻正溫度系數，近似常數的跨導， 高dV/dt。
1、用柵極電壓來控制漏極電流
2、驅動電路簡單，需要的驅動功率小
3、開關速度快，工作頻率高
4、熱穩定性優于GTR
5、電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置
縱向雙擴散器件 VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)和橫向雙擴散器件 LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)是高壓MOS發展過程中的兩種主要結構。
導通電阻小和版圖面積小是 VDMOS 的主要優點；但由于它是縱向結構，與低壓 CMOS 電路的兼容性較差；為了提升其兼容性，通常在漂移區下面放置一埋層，然后將漏電流傳輸到硅表面，但同時也帶來了缺點：增加了成本，并且工藝也變得復雜，故對兼容性要求較高的高低壓集成電路中，VDMOS 使用得很少。
而作為平面結構的LDMOS與大規模集成電路的兼容性非常好，且工藝簡單，易于實現，性能穩定，因此，在高低壓兼容的集成電路中得到了廣泛的運用，例如 LDMOS作為HDTV的PDP顯示屏和汽車電子的高壓功率放大器件。為了實現高壓和大電流，LDMOS 版圖面積大，芯片成本高，而導通電阻與擊穿電壓之間的折衷卻是其最大的缺點。
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