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正激變換器拓?fù)浠竟ぷ髟?/p>

信息來(lái)源：本站　日期：2017-05-12　

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交錯(cuò)正激變換器拓?fù)浠竟ぷ髟?、優(yōu)缺陷和輸出功率限制這種拓?fù)渲皇莾蓚€(gè)相同的單端正激變換器交替工作（各占半個(gè)周期），其次級(jí)電流電子器件經(jīng)過(guò) 整流碳化硅二極管相加。其拓?fù)淙鐖D 2.14 所示。這種拓?fù)淶膬?yōu)點(diǎn)是每周期有兩個(gè)功率脈沖，如圖 2.14 所示，且每個(gè)變換器只提供總輸出功率的一半。式 C 2.28 ）給出了MOS開(kāi)關(guān)電源效平頂電流幅值／pft = 3.13P,,J 2飛，某中凡為總輸出功率。開(kāi)關(guān)管電流是獲得相同總輸出功率的單個(gè)單端正激變換器的一半。因此，兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的費(fèi)用因每個(gè)開(kāi)關(guān)管額定峰值電流較低而相互抵消了，或許價(jià)錢(qián)比兩倍額定電流的單個(gè)開(kāi)關(guān)管更低。

或從另一角度看，若這兩個(gè)額定電流相同的MOS開(kāi)關(guān)電源 ，其電流幅值與給定輸出功率單端變換器開(kāi)關(guān)管的相同，則交錯(cuò)變換器可提供的輸出功率是該單端變換器輸出功率的兩倍。另外，EMI 強(qiáng)度與電流幅值成比例，而不是非與電流脈沖數(shù)量成比例。相同總輸出功率下，交錯(cuò)變換器產(chǎn)生的 EMI 比單個(gè)正激變換器產(chǎn)生的 EMI 小。相同輸出功率下，每個(gè)變壓器都比正激變換器的小。但兩個(gè)加在一同很可能比單個(gè)變壓器占用的空間大且花費(fèi)的本錢(qián)高。固然有這樣那樣的優(yōu)缺陷，交錯(cuò)正激變換器的主要優(yōu)點(diǎn)還是同樣的開(kāi)關(guān)管電流幅值下可提供單個(gè)正激變換器兩倍的輸出功率。相比起來(lái) ，推挽拓?fù)淇贍芨脙?yōu)越性。固然都是雙開(kāi)關(guān)管電路，但交錯(cuò)正撤變換器的兩個(gè)變壓器可能比推挽拓?fù)淶囊粋€(gè)大變壓器更昂貴，占用的空間更多。

不過(guò)至今仍不很肯定，在輸入和負(fù)載失常的瞬態(tài)情況下，推挽拓?fù)淶拇磐ú黃膠鈫?wèn)題能否完好能處置。沒(méi)有磁通不平衡問(wèn)題可能是運(yùn)用交錯(cuò)正激變換器的最好理由。在較少見(jiàn)的直流輸出電壓超越 200V 的場(chǎng)所，同樣的輸出功率下，選用交錯(cuò)正激變換器比選用單個(gè)正激變換器更合理。單個(gè)正激變換器輸出續(xù)流二極管（ D5A 或 D5B ）承受的反向電壓峰值為交錯(cuò)正激變換器的兩倍。
這是由于它的占空比只需后者的 1/20輸出電壓低時(shí) 占空比小沒(méi)奮什么問(wèn)題，見(jiàn)式（ 2.25 ）。變壓器次級(jí)臣數(shù)選擇準(zhǔn)繩（關(guān)于單端正激變換器）是，直流輸入最小即次級(jí)電壓幅值最低時(shí) ，產(chǎn)生所需輸出電壓的占空比匯 0 IT不超越 0.4。當(dāng)直流輸出為 200V 時(shí)，續(xù)流二極管承受的反向電壓峰值為 500Vo 開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通瞬間，續(xù)流二極管己流過(guò)很大的正向電流，又將突然承受反壓。假設(shè)該二極管反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，短時(shí)內(nèi) 500V 的反向電壓就會(huì)惹起很大的反向電流，可能會(huì)損壞二極管。通常，二極管額定反向電壓越大，反向恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng) ，這種情況下，問(wèn)題就很?chē)?yán)重了。關(guān)于 200V 直流輸出，交錯(cuò)正激變換器運(yùn)轉(zhuǎn)在兩倍占空比，續(xù)流二極管反壓僅為 250V 。運(yùn)用