解析開關(guān)電源MOS管開關(guān)損耗推導(dǎo)過程 看得明明白白-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-07-18
開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。開關(guān)損耗（Switching-Loss）包括開通損耗（Turn-on Loss）和關(guān)斷損耗(Turn-of Loss)，常常在硬開關(guān)（Hard-Switching）和軟開關(guān)（Soft-Switching）中討論。
所謂開通損耗（Turn-on Loss），是指非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)管的電壓不是立即下降到零，而是有一個(gè)下降時(shí)間，同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流，也有一個(gè)上升時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)，開關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū)，會(huì)產(chǎn)生損耗，這個(gè)損耗即為開通損耗。以此類比，可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因，這里不再贅述。開關(guān)損耗另一個(gè)意思是指在開關(guān)電源中，對(duì)大的MOS管進(jìn)行開關(guān)操作時(shí)，需要對(duì)寄生電容充放電，這樣也會(huì)引起損耗。
電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所有有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。我們今天以反激CCM模式的開通損耗和關(guān)斷損耗來把公式推導(dǎo)一番，希望能夠給各位有所啟發(fā)。
我們知道這個(gè)損耗是由于開通或者關(guān)斷的那一個(gè)極短的時(shí)刻有電壓和電流的交叉而引起的交越損耗，所以我們先得把交越波形得畫出來，然后根據(jù)波形來一步步推導(dǎo)它的計(jì)算公式。
下圖為電流與電壓在開關(guān)時(shí)交疊的過程，這個(gè)圖中描述的是其實(shí)是最惡劣的情況，開通時(shí)等mos管電流上升到I1之后mos管電壓才開始下降，關(guān)斷時(shí)等mos管電壓上升到Vds后mos管電流才開始下降。
最惡劣的情況分析：
階段一：電壓不變電流上升（電壓為Vds不變，電流由0上升到Ip1）
mos開通瞬間，電流從零快速開始上升到Ip1，此過程MOS的DS電壓不變?yōu)閂ds；
階段二：電流不變電壓下降（電流為Ip1不變，電壓由Vds下降到0）
電流上升到Ip1后，此時(shí)電流的上升斜率（Ip1-Ip2段）相對(duì)0-Ip1這一瞬間是非常緩慢的，我們可以近似把上升到Ip1之后繼續(xù)上升的斜率認(rèn)為是0，把電流基本認(rèn)為是Ip1不變，此時(shí)MOS管的DS電壓開始快速下降到0V。
階段一：電流不變電壓上升（電流為Ip2不變，電壓由0上升到Vds）
電壓從0快速開始上升到最高電壓Vds，與開通同理此過程MOS的電流基本不變?yōu)镮p2；
階段二：電壓不變電流下降（點(diǎn)壓為Vds不變，電流由Ip2下降到0）
電壓此時(shí)為Vds不變，電流迅速從Ip2以很大的下降斜率降到0。
上面對(duì)最惡劣的開關(guān)情況做了分析，但是我根據(jù)個(gè)人的經(jīng)驗(yàn)這只是一場誤會(huì)，本人沒發(fā)現(xiàn)有這種情況，所以我一般不用這種情況來計(jì)算開關(guān)損耗。
由于本人不用，所以對(duì)上述情況不做詳細(xì)推導(dǎo)，下面直接給出最惡劣的情況的開通關(guān)斷損耗的計(jì)算公式：
至于關(guān)斷和開通的交越時(shí)間t下面會(huì)給出估算過程。
個(gè)人認(rèn)為更符合實(shí)際情況的分析與推導(dǎo)，請看下圖。
這種情況跟上一種情況的不同之處就在于：
開通時(shí)：電流0-Ip1上升的過程與電壓Vds-0下降的過程同時(shí)發(fā)生。
關(guān)段時(shí)：電壓0-Vds的上升過程與電流從Ip2-0的下降過程同時(shí)發(fā)生。
我們先把開通交越時(shí)間定位t1，我們大致看上去用平均法來計(jì)算好像直接可以看出來，Ip1/2 × Vds/2 *t1*fs，實(shí)際上這是不對(duì)的，這個(gè)過程實(shí)際上準(zhǔn)確的計(jì)算是，在時(shí)間t內(nèi)每一個(gè)瞬時(shí)的都對(duì)應(yīng)一個(gè)功率，然后把這段時(shí)間內(nèi)所有的瞬時(shí)功率累加然后再除以開關(guān)周期T或者乘以開關(guān)頻率fs。好了思想有了就只剩下數(shù)學(xué)問題了，我們一起來看下。
對(duì)于此式，Vds、Ip1在計(jì)算變壓器時(shí)已經(jīng)計(jì)算出來，fs是開關(guān)頻率是已知的，所以只要求出t1就能估算出開通損耗。
下面我來說一下t1的估算方法，思路是根據(jù)MOS管datasheet給出的柵極總電荷量來計(jì)算時(shí)間t1，用公式Qg=i*t來計(jì)算。
我們來看看上圖是驅(qū)動(dòng)的過程，Vth為MOS管的開通閾值，Vsp為MOS管的米勒平臺(tái)，實(shí)際上MOS管從開始導(dǎo)通到飽和導(dǎo)通的過程是從驅(qū)動(dòng)電壓a點(diǎn)到b點(diǎn)這個(gè)區(qū)間。
其中柵極總電荷Gg是可以在mos管的datasheet中可以查詢到的。
然后就是要求這段時(shí)間的驅(qū)動(dòng)電流，我們看下圖，這個(gè)電流結(jié)合你的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路來取值的。
根據(jù)你的驅(qū)動(dòng)電阻R1的值和米勒平臺(tái)電壓可以把電流i計(jì)算出來。米勒平臺(tái)電壓Vsp也可以在MOS管的datasheet中可以查到。
然后再根據(jù)你的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓（實(shí)際上就是近似等于芯片Vcc供電電壓），實(shí)物電壓做出來之前，在理論估算階段可以自己先預(yù)設(shè)定一個(gè)，比如預(yù)設(shè)15V。
我們計(jì)算時(shí)把Vth到Vsp這一段把它近似看成都等于Vsp，然后就很好計(jì)算出i了。
i=(Vcc-Vsp)/R1
此刻驅(qū)動(dòng)電流i已經(jīng)求出，接下來計(jì)算平臺(tái)時(shí)間（a點(diǎn)到b點(diǎn)）t1.
Qg=i*t1
t1=Qg/i
接下來我們總結(jié)一下開關(guān)MOS開通時(shí)的損耗計(jì)算公式
i=(Vcc-Vsp)/R1 計(jì)算平臺(tái)處驅(qū)動(dòng)電流
t1=Qg/i 計(jì)算平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間（也就是mos開通時(shí)，電壓電流的交越時(shí)間）
Pon=1/6*Vds*Ip1*t1*fs
對(duì)于關(guān)斷時(shí)的損耗計(jì)算跟開通時(shí)的損耗就算推導(dǎo)方式?jīng)]什么區(qū)別，這里給出一個(gè)簡單的結(jié)果。
i=(Vsp)/R2 計(jì)算平臺(tái)處驅(qū)動(dòng)電流
t1=Qg/i 計(jì)算平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間（也就是mos關(guān)斷時(shí)，電壓電流的交越時(shí)間）
Ptoff=1/6*Vds*Ip1*t1*fs
上文是針對(duì)反激CCM，對(duì)于DCM的計(jì)算方法是一樣的，不過DCM下Ip1為0，開通損耗是可以忽略不計(jì)的，關(guān)斷損耗計(jì)算方法一樣。
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