60V 80V 低壓MOS管選型表-低壓MOS管原廠 性價比高 質量好-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-03-27
MOS管導通電阻小，可以降低導通時的功耗。但無論什么元件器件，追求某項指標必會影響其它指標。以MOS管來說，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說導通電阻越小越好，因為這是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導通電阻也就越小。
60V 80V 低壓MOS管選型表如下：
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
KIA30N06B |
25 |
60 |
0.025 |
0.03 |
1345 |
|
KNX8606A |
35 |
60 |
0.012 |
0.02 |
2423 |
|
KIA50N06B |
50 |
60 |
0.0105 |
0.012 |
2060 |
|
KIA50N06C |
50 |
60 |
0.009 |
0.012 |
2180 |
|
KNX3706A |
50 |
60 |
0.009 |
0.012 |
2180 |
|
KIA3506A |
70 |
60 |
0.0065 |
0.008 |
3483 |
|
KNX3406A |
80 |
60 |
0.0065 |
0.0085 |
6050 |
|
KNX3306A |
80 |
60 |
0.007 |
0.0085 |
3390 |
|
KNX3306B |
80 |
60 |
0.007 |
0.008 |
3080 |
|
KNX3206A |
110 |
60 |
0.0065 |
0.008 |
3400 |
|
KIA3205S |
130 |
60 |
0.0055 |
0.007 |
3100 |
|
KIA2906A |
130 |
60 |
0.0055 |
0.007 |
3100 |
|
KIA2806A |
160 |
60 |
0.0035 |
0.0045 |
4376 |
|
KNX1906B |
230 |
60 |
0.0027 |
0.0035 |
6110 |
|
KNX3508A |
70 |
80 |
0.0095 |
0.011 |
2900 |
|
KNX3308A |
80 |
80 |
0.0062 |
0.009 |
3110 |
|
KNX3308B |
80 |
80 |
0.0072 |
0.009 |
3650 |
|
KIA75NF75 |
80 |
80 |
0.007 |
0.009 |
3110 |
|
KNX2808A |
150 |
80 |
0.004 |
0.005 |
6109 |
|
KNX2708A |
160 |
80 |
0.004 |
0.0048 |
9300 |
|
KNC2208A |
200 |
80 |
0.0035 |
0.004 |
6109 |
|
KNX3208A |
100 |
85 |
0.0065 |
0.008 |
3420 |
|
KNX2908A |
130 |
85 |
0.005 |
0.006 |
5000 |
60V 80V 低壓MOS管封裝是與國內一流封裝廠家合作。
1.可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.可以用作可變電阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作電子開關。
6.在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負載，易于跟前級匹配。
mos管的三個極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導通。
1.判斷柵極G
MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用：假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
測試步驟：
MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。
其步驟如下：
假如有阻值沒被測MOS管有漏電現象。
1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好
2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。
3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產生柵極電場，因為電場產生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉，偏轉的角度大，放電性越好。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
