MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)(qū)。在多數(shù)(shù)情況下，這個兩個區(qū)(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

MOS管如何快速判斷其好壞及引腳功能

1  用10K檔，內(nèi)(nèi)有15伏電池?？商峁妷骸?

2  因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。

3  利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。

4  大都源漏間有反并二極管，應注意，及幫助判斷。

5  大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。

如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。

管腳測定方法：

①柵極G的測定：用萬用表R×100 檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)(shù)百Ω)，該兩腳是D、S，第三腳為G。

②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表 R ×10kΩ檔測 D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2 ×10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)(xiàn)兩種情況：

a．若讀數(shù)(shù)由原來較大值變?yōu)?(0×10kΩ)，則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。

b．若讀數(shù)(shù)仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數(shù)(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。

MOS管的發(fā)(fā)熱情況有：

1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)(tài)，而不是在開關(guān)電路狀態(tài)(tài)。這也是導致MOS管發(fā)(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)(fā)熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)(fā)熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關(guān)阻抗增大。

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