高耐壓場效應管參數(shù)(shù)型號大全-高耐壓場效應管原廠推薦 耐壓性強-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-29
高耐壓場效應管廠家介紹，深圳市可易亞半導體科技有限公司主營半導體產(chǎn)(chǎn)品豐富，是一家國產(chǎn)(chǎn)MOS管廠家。專業(yè)(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、超結(jié)場效應管、碳化硅二極管、碳化硅場效應管、快速恢復二極管、三端穩(wěn)(wěn)壓管開發(fā)(fā)設(shè)計，集研發(fā)(fā)、生產(chǎn)(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)(yè)。
強大的研發(fā)(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)(chǎn)權(quán)35項，并掌握多項場效應管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)(fā)已經(jīng)(jīng)成為了企業(yè)(yè)的核心競爭力。
KIA半導體的產(chǎn)(chǎn)品涵蓋工業(yè)(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)(chǎn)品的精細化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)(chǎn)品。
公司成立初期就明確立足本市場，研發(fā)(fā)為先導，了解客戶需求，運用創(chuàng)(chuàng)新的集成電路設(shè)計方案和國際同步研發(fā)(fā)技術(shù)，結(jié)合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)(chǎn)品，產(chǎn)(chǎn)品的穩(wěn)(wěn)定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術(shù)，市場溝通的嚴謹態(tài)(tài)度.在移動數(shù)(shù)碼，LCE,HID,LED,電動車，開關(guān)電源，逆變器，節(jié)(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶認可。
注：這里列出了部分型號，需了解更多，請聯(lián)(lián)系我們！
場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)(qū)域的狀態(tài)(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
1、MOS場效應管電源開關(guān)電路
MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導通，其PN結(jié)有電流通過。
這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。在柵極沒有電壓時，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時場效應管處與截止狀態(tài)(tài)。
當有一個正電壓加在N溝道的MOS場效應管柵極上時，由于電場的作用，此時N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導體中，從而形成電流，使源極和漏極之間導通。可以想像為兩個N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。
2、C-MOS場效應管（增強型MOS場效應管）
電路將一個增強型P溝道MOS場效應管和一個增強型N溝道MOS場效應管組合在一起使用。當輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源正極接通。當輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應管導通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應管和N溝道MOS場效應管總是在相反的狀態(tài)(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。
通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應管既被關(guān)斷。不同場效應管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此，使得該電路不會因為兩管同時導通而造成電源短路。
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關(guān)。
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