MOSFET驅(qū)動(dòng)方式
信息來源：本站 日期：2017-04-10
MOSFET驅(qū)動(dòng)方式：
驅(qū)動(dòng)方式是對(duì)簡易方式的一種初步改進(jìn),它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅(qū)動(dòng)方式可進(jìn)一步改善驅(qū)動(dòng)性能,不但關(guān)斷時(shí)間可以進(jìn)一步縮短,開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的差別也通過互補(bǔ)電路而消除。同時(shí),在這種驅(qū)動(dòng)方式中的兩個(gè)外接晶體管起著射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠(yuǎn)不會(huì)被驅(qū)動(dòng)到飽和區(qū)。由于互補(bǔ)方式增加了驅(qū)動(dòng)功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)。
而這種方式可以產(chǎn)生足夠高的柵壓使器件充分導(dǎo)通,并保證較高的關(guān)斷速度。由于外接負(fù)載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出晶體管的功率耗散,因而這種驅(qū)動(dòng)方式的開通速度不夠高。不過,對(duì)感性負(fù)載的開關(guān)電路來說,出于對(duì)動(dòng)態(tài)損耗的考慮,關(guān)斷速度的重要性就是要強(qiáng)一些。
MOSFET注意要點(diǎn)：
驅(qū)動(dòng)電路的有關(guān)問題MOSFET管工作在高頻時(shí),為了防止振蕩,有兩點(diǎn)必須注意:第一,盡可能減少M(fèi)OSFET各端點(diǎn)的連接線長度,特別是柵極引線,如果無法使引線縮短,則可按圖1所示,靠近柵極處串聯(lián)一個(gè)小電阻以便控制寄生振蕩;第二,由于MOSFET的輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)電源的阻抗必須比較低,以避免正反饋所引起的振蕩,特別是MOSFET的直流輸入阻抗非常高,但它的交流輸入阻抗是隨頻率而改變的,因此MOSFET的驅(qū)動(dòng)波形的上升和下降時(shí)間與驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生器阻抗有關(guān)。另外,MOSFET的柵—源極間的硅氧化層的耐壓。
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