MOS管概念及工作原理

怎么區(qū)(qū)分MOS管的極，首先我們了解一下是什么及它的工作原理這些基礎(chǔ)(chǔ)知識(shí)。MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)(dǎo)體，描述了集成電路中的結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)，即：在一定結(jié)(jié)構(gòu)(gòu)的半導(dǎo)(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)(qū)。

MOS管的工作原理（以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)(yīng)管）它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)(yīng)電荷”形成的導(dǎo)(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)(cè)能感應(yīng)(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)(zhì)的N區(qū)(qū)接通，形成了導(dǎo)(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)(nèi)被感應(yīng)(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

怎么區(qū)(qū)分MOS管的極

1.判斷柵極G

MOS驅(qū)(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號(hào)驅(qū)(qū)動(dòng)能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間.

將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)(fā)現(xiàn)(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大，并且交換表筆后仍為無(wú)限大，則證實(shí)此腳為G極，由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。

2.判斷源極S、漏極D

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通態(tài)(tài)電阻RDS（on）

在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié)(jié)，因此根據(jù)(jù)PN結(jié)(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

區(qū)(qū)分MOS管極的方法步驟

1、MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)(guān)鍵地方 。G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。

2、他們是N溝道還是P溝道？

三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當(dāng)(dāng)然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個(gè)腳極性。先判斷是什么溝道，再判斷三個(gè)腳極性。

3、寄生二極管的方向如何判定？

接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。

4、簡(jiǎn)單的判斷方法，上面方法不太好記，一個(gè)簡(jiǎn)單的識(shí)別方法是：想像DS邊的三節(jié)(jié)斷續(xù)(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。

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