電動車報警器專用場效應(yīng)管KIA35P10AD漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,采用KI...電動車報警器專用場效應(yīng)管KIA35P10AD漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,采用KIA先進的溝槽技術(shù)制造,優(yōu)秀的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),提供卓越的開關(guān)性能;低導(dǎo)通電阻...
從運放這張圖中,可以看出這就是一個反相積分電路,當(dāng)輸入電阻較大時,開關(guān)速度...從運放這張圖中,可以看出這就是一個反相積分電路,當(dāng)輸入電阻較大時,開關(guān)速度比較緩慢,Cgd這顆積分電容影響不明顯,但是當(dāng)開關(guān)速度比較高,而且VDD供電電壓比較...
當(dāng)Q3基極輸入高電平時,三極管導(dǎo)通,Q1、Q2的柵極都被拉到0V,Q1通過體二極管,...當(dāng)Q3基極輸入高電平時,三極管導(dǎo)通,Q1、Q2的柵極都被拉到0V,Q1通過體二極管,符合條件(Vgs<0)先導(dǎo)通,接著Q2的源極S端電壓大于柵極G端電壓(Vgs
KNY3403A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流85A,采用KIA先進的溝槽技術(shù),低導(dǎo)...KNY3403A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V,漏極電流85A,采用KIA先進的溝槽技術(shù),低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,減少導(dǎo)通損耗、提供卓越的開關(guān)性...
兩個PMOS接在上邊作為上橋臂,兩個NMOS接在下邊作為下橋臂,要想讓PMOS導(dǎo)通,那...兩個PMOS接在上邊作為上橋臂,兩個NMOS接在下邊作為下橋臂,要想讓PMOS導(dǎo)通,那么PMOS柵極的電壓就要低于源極的電壓,而且柵源之間的電壓要低于開啟電壓。